GaN器件采用二維電子氣結(jié)構(gòu)，能夠提供更高的電子遷移率和導電性能，因此適用于高頻應(yīng)用，可以實現(xiàn)更高效的功率轉(zhuǎn)換。深圳銀聯(lián)寶科技研發(fā)生產(chǎn)的快充電源icU8731，集成700VE-GaN，高頻高性能，推薦工作頻率130KHz/220KHz，推薦最大輸出功率30W，介紹給小伙伴們！
快充電源icU8731采用的是HSOP-7封裝，管腳說明如下：
1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳
2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳
3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅(qū)動能力分檔判定管腳
6 VDD P 芯片供電管腳
4 NTC I/O 外置溫度檢測，過溫降功率和過溫保護功能
5 GND P 芯片參考地
7 DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN FET 漏極、高壓啟動供電管腳
快充電源icU8731集成外置NTC功能，NTC引腳外接NTC電阻，通過內(nèi)部上拉電流源上拉，檢測TEM引腳電壓，當判定TEM管腳電壓Vntc <VCP時，觸發(fā)降功率功能。當判定TEM管腳電壓Vntc < VOTP時，觸發(fā)外置過溫保護功能。降功率功能和過溫保護設(shè)置1.2V的遲滯區(qū)間。
快充電源icU8731通過輔助繞組檢測輸出電壓的范圍設(shè)定系統(tǒng)工作于不同的工作狀態(tài)下，包括恒壓模式(CV)、恒功率模式(CP)和恒流模式(CC)。同時通過外置NTC檢測，設(shè)置不同的恒功率參數(shù)，實現(xiàn)降功率功能。具體為，當芯片未觸發(fā)降功率功能時，在2.8V<Vdem<3.1V時，芯片工作在恒功率模式(CP)，系統(tǒng)實際輸出最大功率計算公式如下：
在Vdem<2.8V或者3.1V<Vdem 時，芯片工作在恒流模式，根據(jù)VCC_Ref1恒流基準計算輸出恒流值，公式如下：
當芯片外置NTC檢測到達到降功率閾值后，芯片內(nèi)部的恒功率和恒流參數(shù)切換到VCP_Ref2和VCC_Ref2，從而實現(xiàn)降功率的功能。快充電源icU8731集成外置溫度檢測和恒功率功能，具有更好的高頻性能和高效率，推薦一試！