氮化鎵充電器的高功率密度，能在很小的體積里給出更高的功率，所以氮化鎵充電器個頭更小，重量也更輕。且能把電能轉(zhuǎn)換得更有效，能量損失也少，充電速度就能變得更快。推薦一款快速啟動功能和超低的工作電流氮化鎵快充芯片——U8725AHE，可實現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗！
氮化鎵快充芯片U8725AHE成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路，驅(qū)動電壓為VDRV(典型值 6.4V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計難點，為此U8725AHE通過DEM管腳集成了驅(qū)動電流分檔配置功能。如圖所示，通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動電流，進(jìn)而調(diào)節(jié)GaN FET的開通速度，系統(tǒng)設(shè)計者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數(shù)表。
氮化鎵快充芯片U8725AHE系列還集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能，在驅(qū)動電流配置為第一、第二、第三檔位時，當(dāng)芯片工作于輕載模式時，將原邊開通速度減半，減小空載時SR的Vds應(yīng)力過沖。U8725AHE腳位如下：
1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳
2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳
3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅(qū)動能力分檔判定管腳
4 VDD P 芯片供電管腳
5 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳
6 GND P 芯片參考地
7 DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN FET 漏極、高壓啟動供電管腳
氮化鎵快充芯片U8725AHE特點：
*集成高壓E-GaN
*集成高壓啟動功能
*超低啟動和工作電流，待機(jī)功耗<30mW
*谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz)
*集成EMI優(yōu)化技術(shù)
*驅(qū)動電流分檔配置
*集成Boost供電電路
*集成完備的保護(hù)功能：VDD過壓/欠壓保護(hù)(VDD OVP/UVLO)、輸出過壓/欠壓保護(hù)(DEM OVP/UVP)、輸入過壓/欠壓保護(hù)(LOVP /BOP)、片內(nèi)過熱保護(hù)(OTP)、逐周期電流限制(OCP)異常過流保護(hù)(AOCP)、短路保護(hù)(SCP)、過載保護(hù)(OLP)、前沿消隱(LEB)、CS管腳開路保護(hù)
*封裝類型 ESOP-7
氮化鎵快充芯片U8725AHE導(dǎo)熱性高，熱量積累少，能有效地保護(hù)充電的設(shè)備和等著充電的設(shè)備的安全。還有成熟的配套電源方案，技術(shù)團(tuán)隊全程指導(dǎo)跟進(jìn)，高效有保障！