PCB設計對電源的 EMI，ESD 等性能有顯著影響，以15W充電器芯片U2313A為例，設計原邊回路時建議參考以下的內容。
1. 原邊主功率環(huán)路(Loop1)的面積應盡可能小，同時走線應盡可能粗以優(yōu)化效率。
2. RCD吸收回路(Loop2)的面積應盡可能小。
3. VDD電容C3應緊貼芯片，保證VDD回路(Loop3)的面積盡可能小。
4.如Line1所示，輔助繞組應直接連接到輸入容的地，以減少ESD能量對于芯片的干擾。
5. 如Line2所示，VDD電容C3及FB下 R5應先連接到芯片的GND管腳，再連接到輸入電容的地。
在原邊控制技術中，當原邊向副邊傳輸能量時，通過采樣與副邊繞組耦合的輔助繞組電壓，得到輸出電壓反饋信號。15W充電器芯片U2313A內部的電壓采樣、消磁檢測和諧振谷底觸發(fā)的關鍵波形。當恒壓采樣過程結束時,內部的采樣保持模塊記錄下反饋誤差并通過內部的誤差運算放大器將其放大。原邊恒壓控制模塊利用誤差運算放大器的輸出實現(xiàn)高精度的恒壓輸出。芯片內部恒壓輸出基準為VFB_REF (典型值1.25V)。
當PWM開啟時，通過檢測FB流出的電流，15W充電器芯片U2313A可以實現(xiàn)線電壓的過壓及欠壓保護。如果FB流出電流大于ILine_OVP (典型值960μA)，IC將觸發(fā)線電壓過壓保護；如果FB流出電流小于ILine_BOP(典型值 240μA)，IC將觸發(fā)欠壓保護。通過調整FB上拉電阻R2，可以改變線電壓過壓保護閾值VOVP和欠壓保護閾值VBOP：
