MOS管的驅動對其工作效果起著決定性的作用。設計師既要考慮減少開關損耗，又要求驅動波形較好即振蕩小、過沖小、EMI小。這兩方面往往是互相矛盾的，需要尋求一個平衡點，即驅動電路的優化設計。
驅動電路的優化設計包含兩部分內容：
一是優的驅動電流、電壓的波形；
二是優的驅動電壓、電流的大小。在進行驅動電路優化設計之前，先清楚MOS管的模型、MOS管的開關過程、MOS管的柵極電荷以及MOS管的輸入輸出電容、跨接電容、等效電容等參數對驅動的影響。
銀聯寶電子研發出一款N溝道溝槽工藝 MOS管——AP8205A ，除了內阻低的產品特點外，它還具有可靠性高，一致性好的產品優勢，以下是其參數：銀聯寶科技代理新潔能MOS管直銷NCE2010E，封裝形式是TSSOP-8，電壓（VDDS）能做到20V，電流能做到7A，VGS能做到10V。
然而銀聯寶科技一款可以替代NCE2010E的自家品牌低壓MOS管 AP8205A，TSSOP-8朔封封裝N溝道雙MOS管。采用的溝槽技術，提供較小的導通電阻，低柵極電荷，柵極工作電壓低2.5V。
銀聯寶科技的公司緊密結合自身器件與工藝設計技術的優勢，與的芯片代工廠、封裝、測試代工廠保持密切配合與合作，嚴謹產品質量控制，保證產品的持續和穩定供貨。該公司產品的特點是：性能與可靠性超越同行，應用偏向高端。注重品牌和信譽。目前專注于超結大功率MOS器件。