超結功率MOSFET在高電壓開關應用中占據(jù)主導地位，適用于需要高效能和緊湊設計的場合。超結結構能夠在保持高電壓的同時實現(xiàn)低導通電阻，突破了傳統(tǒng)硅極限，超結MOSFET中的電荷平衡特性，能夠設計更薄、摻雜更多的區(qū)域，實現(xiàn)更快的開關速度，降低開關損耗，提高效率。深圳銀聯(lián)寶內(nèi)置合封一顆1.9Ω/630V的高壓MOS開關電源芯片U8621，在175V--264Vac推薦22.5W，85V-264Vac推薦18W，一起了解下！
開關電源芯片U8621擁有自適應工作模式，根據(jù)FB腳電平自動匹配工作模式，當FB電平低于1.1V時，芯片進入打嗝工作模式，此模式下芯片工作頻率為25KHz，最小導通時間為1.2uS；當FB電平低于1.7V 時，芯片進入變頻模式，此模式下芯片工作頻率在25K-65K變動，驅(qū)動高電平時間由FB和CS電平控制；當FB電平大于3.7V時，芯片進入恒功率模式，此時芯片工作頻率為65KHz，PWM占空比由對應的VOCP控制。
開關電源芯片U8621管腳說明：
1 GND 芯片內(nèi)部電路電位基準引腳
2 VCC 芯片內(nèi)部電路供電引腳
3 FB 輸出反饋輸腳，芯片 PWM 輸出的頻率和占空比由FB 和CS 控制
4 CS 電感峰值電流采樣輸入引腳
5/6/7/8 PD 內(nèi)置高壓功率 MOS 的漏極
開關電源芯片U8621主要特點：
▲固定 65K 赫茲的開關頻率
▲內(nèi)置抖頻技術優(yōu)化EMI
▲根據(jù)負載大小自適應多種工作模式包括打嗝模式、綠色節(jié)能模式和定頻PWM工作模式
▲內(nèi)置斜率補償?shù)姆逯惦娏骺刂品绞?/span>
▲內(nèi)置過流點補償優(yōu)化寬輸入電壓范圍內(nèi)最大輸出功率的一致性
▲內(nèi)置前沿消隱技術
▲低空載待機功耗（<75mW@AC230V）
▲支持恒壓、恒功率、恒溫輸出
▲內(nèi)置軟啟動技術
▲內(nèi)置集成多種自保護功能，包括VCC 欠壓保護功能（UVLO）、VCC 過壓保護功能（OVP）、逐周期限流功能（OCP）、恒溫輸出功能（OTP-L）、CS 引腳開路保護功能
同時，開關電源芯片U8621高達630V的耐壓能力，使得芯片能夠輕松應對輸入電壓的波動，確保在各種復雜的供電環(huán)境下都能正常工作。無論是電網(wǎng)電壓的瞬間升高，還是雷擊等極端情況引發(fā)的電壓沖擊，U8621芯片內(nèi)置的超結硅功率MOS都能為芯片提供可靠的保護，讓設備免受損壞，穩(wěn)定運行！