A+C口兼容雙接口電路,可滿足多設(shè)備充電需求,還可以兼容傳統(tǒng)USB-A設(shè)備,接口互補(bǔ),場(chǎng)景覆蓋廣,依然是當(dāng)前充電市場(chǎng)不可忽略的中堅(jiān)力量。深圳銀聯(lián)寶科技推出的PD快充A+C口:30W高效率氮化鎵電源方案U8722DE+U7110W,最大程度簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)方案,易上手,低成本!
氮化鎵電源ICU8722DE采用峰值電流控制模式,可以自適應(yīng)的工作在QR和降頻工作模式,從而實(shí)現(xiàn)全負(fù)載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化。在滿載和重載工況下,系統(tǒng)工作在QR工作模式,可以大幅降低系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)損耗。芯片根據(jù)FB電壓值調(diào)節(jié)谷底個(gè)數(shù),同時(shí)為了避免系統(tǒng)在臨界負(fù)載處的FB電壓波動(dòng)導(dǎo)致谷底數(shù)跳變,產(chǎn)生噪音,U8722DE采用了谷底鎖定工作模式在負(fù)載一定的情況下,導(dǎo)通谷底數(shù)穩(wěn)定,系統(tǒng)無(wú)噪音。隨著負(fù)載的逐漸降低,系統(tǒng)導(dǎo)通的谷底個(gè)數(shù)逐漸增加,當(dāng)谷底數(shù)超過(guò)6個(gè)時(shí),不再檢測(cè)谷底電壓,系統(tǒng)進(jìn)入降頻工作模式,通過(guò)進(jìn)一步降低開(kāi)關(guān)頻率,減小開(kāi)關(guān)損耗,優(yōu)化系統(tǒng)輕載效率。
在同步整流內(nèi)置MOSFET導(dǎo)通期間,同步整流ICU7110W采樣MOSFET漏-源兩端電壓(Vds)。當(dāng)Vds電壓高于MOSFET關(guān)斷閾值Vth_off (典型值 0mV),經(jīng)過(guò)關(guān)斷延遲Td_off (典型值 22ns),內(nèi)置MOSFET的溝道關(guān)斷。在VDD電壓上升到VDD開(kāi)啟電壓VDD_ON (典型值3.8V)之前,U7110W處于關(guān)機(jī)狀態(tài)。內(nèi)部Gate智能鉗位電路可以保證內(nèi)置MOSFET不會(huì)發(fā)生高dv/dt導(dǎo)致的誤開(kāi)通。當(dāng)VDD電壓達(dá)到VDD_ON之后,芯片啟動(dòng),內(nèi)部控制電路開(kāi)始工作,副邊繞組電流Is經(jīng)內(nèi)置MOSFET的溝道實(shí)現(xiàn)續(xù)流。當(dāng)VDD電壓低于欠壓保護(hù)閾值VDD_OFF (典型值 3.5V)后,芯片關(guān)機(jī),副邊繞組電流Is經(jīng)內(nèi)置MOSFET的體二極管實(shí)現(xiàn)續(xù)流。
深圳銀聯(lián)寶科技PD快充A+C口30W高效率氮化鎵電源方案U8722DE+U7110W,原廠直銷,一站式電源方案服務(wù),降低綜合持有成本,可搭配協(xié)議芯片OM5256一起使用,量大可談!