電源IC廠家在實際應用當中會出現(xiàn)溫升高的原因往往是跟變壓器的損耗是有關的，變壓器的損耗越大，它的溫升自然就越高。有人會說，你們不是做電源IC的嗎？怎么說到變壓器了呢，其實這里面的學問很大。有興趣了解我們的請撥打我們的免費熱線400-778-5088。
溫度對開關電源IC效率的影響也是很難預期估計的，因此溫度變化對占空比的影響也很難估計。溫度升高使有些損耗升高，而有些損耗降低。然而保守估算中，最少應考慮溫度升高時對MOSFET管導通壓降的影響。低壓MOSFET（額定值約為30V），當開關管溫度從室溫到發(fā)熱時，RDS(導通阻抗）一般將會增加30%~50%，故一般將室溫下的導通阻抗乘以1.4便可得到發(fā)熱時的導通阻抗。而通常用于離線式開關電源的高壓MOSFET中，RDS增加達到80%~100%。所以在求取發(fā)熱時的導通阻抗時，應乘以系數(shù)1.8。
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