氮化鎵器件開關頻率升級，同步整流芯片需具備高速響應能力，確保高頻工況下精準控制同步整流管的開通與關斷時。同步整流芯片U7106應用在氮化鎵電源芯片U8766中可顯著減少功率損耗，提升轉換效率！
同步整流芯片U7106是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開關，可以在GaN系統中替代肖特基整流二極管以提高系統效率。U7106內置有VDD高壓供電模塊，無需輔助繞組供電可穩定工作，系統上支持High Side和Low Side配置，兼顧了系統性能和成本。
同步整流芯片U7106特性：
1.內置 100V 6mΩ MOSFET
2.支持反激、有源鉗位反激拓撲
3.支持 DCM、QR 和 CCM 工作模式
4.集成 180V 高耐壓檢測電路和高壓供電電路，無需VDD輔助繞組供電
5.支持寬范圍輸出電壓應用，特別適用于支持QC、PD 等協議的快充領域
6.支持 High Side 和 Low Side 配置
7.<30ns 開通和關斷延時
8.智能開通檢測功能防止誤開通
9.智能過零檢測功能
10.啟動前 Gate 智能鉗位
同步整流芯片U7106搭載氮化鎵電源芯片U8766，可以做65W快充方案。
氮化鎵電源芯片U8766集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路，驅動電壓為VDRV (典型值 6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉換器的設計難點，為此U8766通過DEM管腳集成了驅動電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅動電流，進而調節GaN FET的開通速度，系統設計者可以獲得最優的EMI性能和系統效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數表。
氮化鎵電源芯片U8766的工作頻率最高可達 220kHz，可全范圍工作在準諧振模式。芯片集成峰值電流抖動功能和驅動電流配置功能，可極大的優化系統EMI性能。芯片內置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應用場景。