相信大家都清楚，輕載或空載狀態下，開關損耗在轉換效率中占主導地位。所以為了降低待機功耗，大部分電源芯片都采取載輕降頻的控制方式。而芯片的控制方式可以說是決定待機功耗最重要的一環。氮化鎵快充芯片U8765是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現小于30mW的超低待機功耗。
氮化鎵快充芯片U8765主要特性：
&集成高壓 E-GaN
&集成高壓啟動功能
&超低啟動和工作電流，待機功耗 <30mW
&谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(220kHz，130kHz)
&集成 EMI 優化技術
&驅動電流分檔配置
&集成 Boost 供電電路
&集成完備的保護功能：
VDD 過壓/欠壓保護 (VDD OVP/UVLO)
輸出過壓保護 (OVP)
輸入欠壓保護 (BOP)
片內過熱保護 (OTP)
逐周期電流限制 (OCP)
異常過流保護 (AOCP)
短路保護 (SCP)
過載保護 (OLP)
過流保護 (SOCP)
前沿消隱 (LEB)
CS 管腳開路保護
&封裝類型 ESOP-10W
氮化鎵快充芯片U8765的工作頻率最高可達220kHz，可全范圍工作在準諧振模式。芯片集成峰值電流抖動功能和驅動電流配置功能，可極大的優化系統EMI性能。芯片內置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應用場景。U8765集成逐周期過流保護功能，在每個功率開關開通周期中，當電流達到OCP閾值VCS_MAX (典型值 -650mV/-600mV)時，功率開關立刻關閉。
氮化鎵快充芯片U8765管腳定義：
1 HV P 高壓啟動管腳
2 DRAIN P GaN FET 漏極引腳
3 Source P GaN FET 源極引腳
4 GND P 芯片參考地
5 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳
6 FB I 系統反饋輸入管腳
7 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測
8 VDD P 芯片供電管腳
9 SW P Boost 電路內置 MOS 的漏極管腳
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因為大部分的用電設備都長期工作在待機狀態，所以電源除了效率以外，空載或者待機功耗也變得越來越重要了。這不僅因為各種各樣的能效標準的執行，也確實很符合實際應用的需求。深圳銀聯寶科技新推出多款低功耗、低成本氮化鎵快充芯片，集成有完備的保護功能，是快速充電器和適配器電源好幫手！