MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金屬氧化物半導體型場效應管，屬于場效應管中的絕緣柵型。因此，MOS管有時被稱為絕緣柵場效應管。在一般電子電路中，MOS管通常被用于放大電路或開關電路。
二、MOS管的基本結構：
在一塊摻雜濃度較低的P型半導體硅襯底上，用半導體光刻、擴散工藝制作兩個高摻雜濃度的N+區，并用金屬鋁引出兩個電極，分別作為漏極D和源極S。然后在漏極和源極之間的P型半導體表面復蓋一層很薄的二氧化硅（Si02）絕緣層膜，在再這個絕緣層膜上裝上一個鋁電極，作為柵極G。這就構成了一個N溝道（NPN型）增強型MOS管。顯然它的柵極和其它電極間是絕緣的。
MOS管的基本特性：
MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的，由于Sio2絕緣層的存在，在柵極G和源極S之間等效是一個電容存在，電壓VGS產生電場從而導致源極-漏極電流的產生。此時的柵極電壓VGS決定了漏極電流的大小，控制柵極電壓VGS的大小就可以控制漏極電流ID的大小。這就可以得出如下結論：
1） MOS管是一個由改變電壓來控制電流的器件，所以是電壓器件。
2） MOS管道輸入特性為容性特性，所以輸入阻抗極高。
4、MOS管的電壓極性和符號規則；
四、MOS管的的測試
作為一般的電器電視機維修人員在測量晶體三極管或二極管時，一般是采用普通的萬用表來判斷三極管或者二極管的好壞，雖然對所判斷的三極管或二極管的電氣參數沒法確認，但是只要方法正確對于確認晶體三極管的“好”與“壞”還是沒有問題的。同樣MOS管也可以應用萬用表來判斷其“好”與“壞”,從一般的維修來說，也可以滿足需求了。
檢測采用指針式萬用表（數字表是不適宜測量半導體器件的）。對于功率型MOSFET開關管都屬N溝道增強型，各生產廠的產品也幾乎都采用相同的TO-220F封裝形式（指用于開關電源中功率為50—200W的場效應開關管），其三個電極排列也一致，即將三只引腳向下，打印型號面向自巳，左側引腳為柵極，右測引腳為源極，中間引腳為漏極。
以上是對低壓MOS管的簡單講解，要想了解關于低壓MOS管的深入信息，就跟銀聯寶科技一起學習吧！