- [公司新聞]氮化鎵快充電源ic U8722DE優化系統輕載效率2024年05月07日 14:49
- 氮化鎵快充電源icU8722DE集成高壓E-Mode GaN FET,為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率,芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路,驅動電壓為VDRV (典型值 6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉換器的設計難點,為此U8722DE通過DEM管腳集成了驅動電流分檔配置功能。如下圖所示,通過配置DEM管腳分壓電阻值,可以選擇不同檔位的驅動電流,進而調節GaN FET的開通速度,系統設計者可以獲得最優的EMI性能和系統效率的平衡。不同驅動電流檔位的DEM電
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