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副邊25W開關電源芯片 SF5930
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專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒壓恒流精度
快速動態響應，大小減小輸出紋波
支持輸出電壓大小50V
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
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副邊25W開關電源芯片 SF5920
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專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒壓恒流精度
快速動態響應，大小減小輸出紋波
支持輸出電壓大小50V
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
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原邊10W開關電源芯片 U6117SA
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原邊反饋/內置MOSFET
效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于70mW
內置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
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原邊25W開關電源芯片 SF6771T
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原邊反饋/外置MOSFET
效率滿足六級能效要求
優化降頻技術提率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
內置頻率抖動EMI
內置同步斜率補償. 逐周期電流限制, 內置前沿消隱
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副邊60W開關電源芯片 U6201
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恒流控制支持CCM和DCM模式
自動補償輸入電壓.電感感量變化
±5％恒壓恒流精度, 快速動態響應控制
副邊反饋/外驅MOSFET,待機功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
啟動電流
逐周期電流限制,
內置斜率補償
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原邊6W開關電源芯片 U6117S
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效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于70mW
內置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
內置快速動態響應控制，無異音工作
內置可編程線損電壓補償
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現高精度
原邊反饋/內置MOSFET,內置短路保護
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原邊12W開關電源芯片 U6315
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QR-PSR控制提高工作效率。
±4% 的恒流恒壓精度,PSR控制模式。
系統效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機＜70mW。
原邊反饋/內置三極管,內置專利的線損電壓補償。
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護。
VDD欠壓保護，VDD過壓保護及鉗位。
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原邊6W開關電源芯片 U6215
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效率滿足六級能效要求
內置700V 功率三極管
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
內置可編程線損電壓補償
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現高精度
原邊反饋/內置三極管,內置短路保護
逐周期電流限制, 內置前沿消隱
OTP過溫保護
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副邊65W開關電源芯片 SF5533
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副邊反饋/外驅MOSFET
效率滿足六級能效要求
優化降頻技術提率
無異音OCP補償低壓重載異音
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
內置頻率抖動EMI
內置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內置同步斜率補償. 逐周期電流限制, 內置前沿消隱
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副邊18W開關電源芯片 SF5549H
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副邊反饋/內置MOSFET
效率滿足六級能效要求
內置650V 功率MOSFET
內置65KHz 工作頻率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
電流啟動
內置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內置頻率抖動EMI
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原邊5W開關電源芯片 SF6022
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效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內置反饋腳(FB)短路保護
±4％恒壓恒流精度，支持高50V 輸出電壓
內置快速動態響應控制，無異音工作，
內置專利的線損電壓補償，提高量產精度
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現高精度
內置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護
逐周期電流限制, 內置前沿消隱
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
零電壓帶載啟動減小OCP恢復間隙
VDD欠壓保護（UVLO）,過壓保護及鉗位
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原邊15W開關電源芯片 SF5938S
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效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內置600V 功率MOSFET
內置反饋腳(FB)短路保護
內置專利的線損補償,提高量產精度
內置快速動態響應控制
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現高精度
內置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護
逐周期電流限制, 內置前沿消隱
支持高50V 輸出電壓
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原邊13W開關電源芯片 SF6773V
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效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內置650V 功率MOSFET
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
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隔離36W開關電源芯片 SFL950
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提高系統效率，異音。
內置頻率抖動EMI。
系統效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求。
內置高低壓過流補償。
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護。
待機功耗(≤75mW)
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副邊50W開關電源芯片 SF5773
品牌：銀聯寶電子更多 +
型號：SF5773 SSR控制模式，
±5% 的恒壓精度。
副邊反饋/外驅MOSFET
系統效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機＜75mW。
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副邊15W開關電源芯片 SF5539H
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效率滿足六級能效要求
副邊反饋/內置600V 功率MOSFET
內置65KHz 工作頻率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
內置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內置頻率抖動EMI
- [公司新聞]同步整流芯片U760X系列包含U7606、U7608兩個型號2025年07月31日 14:50
- 開關電源本質上是一種噪聲源，雖然事件持續時間很短，但如果不加以適當處理，很可能會誤觸發某些控制電路保護并引發不穩定行為。設計人員想出了在一定時間內關閉電流檢測比較器，直到尖峰消失，這個方法就是集成電路中引入前沿消隱(LEB)電路。深圳銀聯寶科技新推出的同步整流芯片U760X系列，也對LEB做了詳細介紹，一起看看吧！ 同步整流芯片U760XLEB時間確認 電源系統設計需要保證最小續流時間Tdem_min大于LEB時間，否則會產生電流倒灌并有可能引起炸機。確保Tdem_min12
- 閱讀（5） 標簽：
- [公司新聞]開關電源芯片U8623恒功率輸出模式穩定性強2025年07月10日 15:11
- 恒功率輸出模式是一種電源或負載控制策略，其核心目標是在輸入條件或負載變化時保持輸出功率恒定，常見于對功率穩定性要求較高的應用場景。深圳銀聯寶開關電源芯片U8623采用恒功率輸出、恒溫輸出模式，采用專用的抖頻技術，使得電源系統的電磁兼容性、可靠性能得到極大的發揮！ 開關電源芯片U8623具備恒功率輸出模式，當FB腳電平大于3.7V以后，芯片PWM占空比由CS引腳電平對應的VOCP來控制，為保證在AC90V-264V輸入范圍內 的恒功率性能，對VOCP值根據占空比進行補償。U86
- 閱讀（4） 標簽：
- [公司新聞]小功率高效率E-GaN開關電源管理方案：U8723AH+U7116W2025年07月10日 11:47
- 小功率開關電源的效率是一個重要的設計指標，它決定了電源的功耗和發熱量。為了提高效率，可以選擇低損耗的開關管和電感，減小輸出端紋波，降低濾波電容的損耗:優化穩壓電路，減少功耗。可以選擇深圳銀聯寶科技的E-GaN開關電源管理方案——U8723AH+U7116W，體積小，成本低！ E-GaN電源管理icU8723AH特征： 1.集成高壓E-GaN 2.集成高壓啟動功能 3.超低啟動和工作電流，待機功耗30mW 4.谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(220k
- 閱讀（2） 標簽：
- [公司新聞]36W E-GaN快充電源ic U8609前沿消隱復合保護體系2025年06月23日 11:01
- 前沿消隱是開關電源系統中用于消除功率器件導通瞬間脈沖尖峰引發誤觸發動作的保護技術。該技術通過在開關管導通后設定特定消隱時間窗口，在此期間屏蔽電流檢測信號，避免寄生電容充放電或變壓器漏感導致的尖峰電壓誤觸發過流保護機制?，F代電源芯片普遍將LEB功能與逐周期限流、退飽和保護等模塊集成，形成復合保護體系。一起來看看36W E-GaN快充電源icU8609的前沿消隱是如何發揮作用的！ 由于原邊功率開關寄生電容、變壓器寄生電容和副邊整流管反向恢復的原因，功率開關開通瞬間會在采樣電阻上
- 閱讀（10） 標簽：
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