-
原邊5W開關電源芯片 SF6072
更多 +
原邊反饋/內置三極管
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
支持高50V輸出電壓
?內置專利的線損電壓補償，提高量產精度
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現高精度
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
逐周期電流限制，內置前沿消隱
-
原邊5W開關電源芯片 SF6010N
更多 +
原邊反饋/外驅三極管
支持高50V輸出電壓
內置專利的線損電壓補償，提高量產精度
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現高精度
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
逐周期電流限制，內置前沿消隱
-
原邊15W開關電源芯片 SF5928S
更多 +
專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒壓恒流高精度
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
內置專利的線損電壓補償
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現高精度
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
原邊反饋/內置MOSFET,輸出過壓保護
逐周期電流限制，內置前沿消隱
VDD欠壓保護（UVLO），過壓保護及鉗位
-
原邊9W開關電源芯片 SF5926S
更多 +
專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒壓恒流高精度
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
內置專利的線損電壓補償
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現高精度
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
原邊反饋/內置MOSFET,輸出過壓保護
逐周期電流限制，內置前沿消隱
VDD欠壓保護（UVLO），過壓保護及鉗位
-
原邊6W開關電源芯片 SF5922S
更多 +
專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒壓恒流高精度
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
內置專利的線損電壓補償
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現高精度
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
原邊反饋/內置MOSFET,輸出過壓保護
逐周期電流限制，內置前沿消隱
VDD欠壓保護（UVLO），過壓保護及鉗位
-
副邊150W開關電源芯片 SF1565
更多 +
頻率可外部編程，并內置頻率抖動EMI
副邊反饋/外驅MOSFET,啟動電流
管腳浮空保護
內置同步斜率補償
逐周期電流限制，內置前沿消隱
內置高低壓過流補償實現全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護（UVLO），過壓保護及鉗位
-
副邊150W開關電源芯片 SF1560
更多 +
頻率可外部編程，并內置頻率抖動EMI
副邊反饋/外驅MOSFET,啟動電流
管腳浮空保護
內置同步斜率補償
逐周期電流限制，內置前沿消隱
內置高低壓過流補償實現全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護（UVLO），過壓保護及鉗位
-
副邊150W開關電源芯片 SF5897
更多 +
滿足六級能效
副邊反饋/外驅MOSFET,內置軟啟動
輸出過壓保護（OVP）電壓可外部編程
內置拔插頭鎖存(latch plugoff)保護
管腳浮空保護
逐周期電流限制，內置前沿消隱
內置高低壓過流補償實現全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護（UVLO），過壓保護及鉗位
-
副邊70W開關電源芯片 SF5887
更多 +
副邊反饋/外驅MOSFET,內置軟啟動
效率滿足六級能效
輸出過壓保護（OVP）電壓可外部編程
外部編程過溫（OTP）保護
內置拔插頭鎖存(latch plugoff)保護
管腳浮空保護
啟動電流
內置高低壓過流補償實現全電壓平坦OCP曲線
內置前沿消隱
-
副邊50W開關電源芯片 SF1530
更多 +
副邊反饋/外驅MOSFET,管腳浮空保護
系統頻率可編程，并內置頻率抖動EMI
內置同步斜率補償
逐周期電流限制，內置前沿消隱
內置高低壓過流補償實現全電壓平坦OCP曲線
-
副邊25W開關電源芯片 SF5930
更多 +
專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒壓恒流精度
快速動態響應，大小減小輸出紋波
支持輸出電壓大小50V
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
-
副邊25W開關電源芯片 SF5920
更多 +
專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒壓恒流精度
快速動態響應，大小減小輸出紋波
支持輸出電壓大小50V
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
-
原邊10W開關電源芯片 U6117SA
更多 +
原邊反饋/內置MOSFET
效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于70mW
內置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
-
原邊25W開關電源芯片 SF6771T
更多 +
原邊反饋/外置MOSFET
效率滿足六級能效要求
優化降頻技術提率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
內置頻率抖動EMI
內置同步斜率補償. 逐周期電流限制, 內置前沿消隱
-
副邊60W開關電源芯片 U6201
更多 +
恒流控制支持CCM和DCM模式
自動補償輸入電壓.電感感量變化
±5％恒壓恒流精度, 快速動態響應控制
副邊反饋/外驅MOSFET,待機功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
啟動電流
逐周期電流限制,
內置斜率補償
-
原邊6W開關電源芯片 U6117S
更多 +
效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于70mW
內置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
內置快速動態響應控制，無異音工作
內置可編程線損電壓補償
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現高精度
原邊反饋/內置MOSFET,內置短路保護
-
原邊12W開關電源芯片 U6315
更多 +
QR-PSR控制提高工作效率。
±4% 的恒流恒壓精度,PSR控制模式。
系統效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機＜70mW。
原邊反饋/內置三極管,內置專利的線損電壓補償。
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護。
VDD欠壓保護，VDD過壓保護及鉗位。
-
原邊6W開關電源芯片 U6215
更多 +
效率滿足六級能效要求
內置700V 功率三極管
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
內置可編程線損電壓補償
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現高精度
原邊反饋/內置三極管,內置短路保護
逐周期電流限制, 內置前沿消隱
OTP過溫保護
-
副邊65W開關電源芯片 SF5533
更多 +
副邊反饋/外驅MOSFET
效率滿足六級能效要求
優化降頻技術提率
無異音OCP補償低壓重載異音
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
內置頻率抖動EMI
內置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內置同步斜率補償. 逐周期電流限制, 內置前沿消隱
-
副邊18W開關電源芯片 SF5549H
更多 +
副邊反饋/內置MOSFET
效率滿足六級能效要求
內置650V 功率MOSFET
內置65KHz 工作頻率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
電流啟動
內置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內置頻率抖動EMI
電 話：133-1680-5165 Q Q：1957650001
傳 真：0755-23086550 郵 箱：001@elanpo.com
地址：廣東省深圳市寶安區寶安大道4018號華豐國際商務大廈2501-2508
銀聯寶手機
招賢納士
