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[公司新聞]氮化鎵PD快充ic U8608輸入過(guò)欠壓保護(hù)電路安全運(yùn)行2025年05月19日 11:36: 過(guò)壓保護(hù)和欠壓保護(hù)是維護(hù)芯片電路安全運(yùn)行的關(guān)鍵功能。有些芯片會(huì)提供一個(gè)欠壓保護(hù)引腳，當(dāng)欠壓保護(hù)被觸發(fā)時(shí)，該引腳會(huì)產(chǎn)生一個(gè)信號(hào)。通過(guò)檢測(cè)該引腳的狀態(tài)，可以判斷芯片是否處于欠壓保護(hù)狀態(tài)。深圳銀聯(lián)寶氮化鎵PD快充icU8608輸入過(guò)欠壓保護(hù) (Line OVP/BOP)，先來(lái)看看它的引腳。 PD快充icU8608引腳特征： 1 NTC I/O 外置過(guò)溫檢測(cè)管腳 2 COMP I/O 運(yùn)放輸出，在該 pin 腳和 GND 之間連接阻容網(wǎng)絡(luò)用于調(diào)節(jié)環(huán)路。 3 FB I/O 輸出反饋、; 閱讀（11）標(biāo)簽：

[公司新聞]20W氮化鎵電源ic U8722SP谷底鎖定模式優(yōu)化損耗2025年05月15日 14:33: 谷底鎖定模式是一種應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源如反激式拓?fù)洹?zhǔn)諧振電源中的關(guān)鍵技術(shù)，其核心在于通過(guò)精確控制開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通時(shí)機(jī)以降低損耗和提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。在深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的20W氮化鎵電源icU8722SP中，谷底鎖定及降頻工作模式，可以有效避免負(fù)載變化時(shí)因谷底跳頻導(dǎo)致的變壓器工作不穩(wěn)定或噪聲問(wèn)題，延長(zhǎng)器件壽命，也為系統(tǒng)效率帶來(lái)了一定的提升！氮化鎵電源icU8722SP采用峰值電流控制模式，可以自適應(yīng)的工作在QR和降頻工作模式，從而實(shí)現(xiàn)全負(fù)載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化。在滿載和重載工況下; 閱讀（11）標(biāo)簽：

[公司新聞]45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U72692025年05月15日 10:56: 氮化鎵電源電路由于減少了元件數(shù)量和功率轉(zhuǎn)換器占用的空間而更具吸引力。深圳銀聯(lián)寶科技作為E-GaN快充電源方案制造商，大量投入工程研發(fā)以應(yīng)對(duì)各類(lèi)技術(shù)挑戰(zhàn)，為市場(chǎng)提供了各種功率級(jí)和多種功能的集成解決方案，今天推薦的是銀聯(lián)寶45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269！快充電源芯片U8726AHE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV (典型值6.4V)。E; 閱讀（12）標(biāo)簽：

[公司新聞]30W E-GaN高頻高性能快充電源ic U87312025年05月14日 11:14: GaN器件采用二維電子氣結(jié)構(gòu)，能夠提供更高的電子遷移率和導(dǎo)電性能，因此適用于高頻應(yīng)用，可以實(shí)現(xiàn)更高效的功率轉(zhuǎn)換。深圳銀聯(lián)寶科技研發(fā)生產(chǎn)的快充電源icU8731，集成700VE-GaN，高頻高性能，推薦工作頻率130KHz/220KHz，推薦最大輸出功率30W，介紹給小伙伴們！快充電源icU8731采用的是HSOP-7封裝，管腳說(shuō)明如下： 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能; 閱讀（9）標(biāo)簽：

[公司新聞]12V2A/3A氮化鎵電源方案U8607/U8609+同步整流芯片U76132025年05月13日 10:54: 深圳銀聯(lián)寶科技最新上市的氮化鎵電源方案：U8607/U8609+同步整流芯片U7613，推薦輸出功率12V2A、12V3A，非標(biāo)共板，方案成熟，性能可靠，可滿足更高性能要求、更低成本需求！氮化鎵電源芯片U8607/U8609采用原邊反饋控制，可節(jié)省光耦和TL431，簡(jiǎn)化電源BOM。它合封第三代半導(dǎo)體GaN FET，最高工作頻率130kHz，有利于降低電源尺寸。特征如下： *原邊反饋控制，無(wú)需光耦和 TL431 *集成 700V GaN FET 驅(qū)動(dòng) *集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 *; 閱讀（12）標(biāo)簽：

[公司新聞]33W全負(fù)載高效率超結(jié)硅電源管理方案：U8623+U7612B2025年05月12日 14:49: 由于芯片結(jié)構(gòu)的改變，超結(jié)MOS的結(jié)電容比傳統(tǒng)MOS有很大的降低，超結(jié)MOS具有極低的內(nèi)阻，在相同的芯片面積下，超結(jié)MOS芯片的內(nèi)阻甚至只有傳統(tǒng)MOS的一半以上。較低的內(nèi)阻，能降低損耗，減少發(fā)熱。今天深圳銀聯(lián)寶科技帶來(lái)的是33W全負(fù)載高效率超結(jié)硅電源管理方案：U8623+U7612B，可顯著提升產(chǎn)品的易用性和效率！電源管理芯片U8623是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM 電源管理芯片，內(nèi)置0.85Ω/650V的超結(jié)硅功率 MOS。U8623具有全負(fù)載高效率、低空載; 閱讀（11）標(biāo)簽：

[公司新聞]氮化鎵PD快充芯片U8733集成恒功率與主動(dòng)降功率多控制功能2025年05月09日 11:32: 芯片恒功率控制，意味著無(wú)論負(fù)載變化如何，系統(tǒng)都能保持恒定的輸出功率，確保設(shè)備在各種工作條件下都能穩(wěn)定運(yùn)行。當(dāng)檢測(cè)到系統(tǒng)溫度過(guò)高時(shí)，主動(dòng)降功率功能會(huì)啟動(dòng)，以降低系統(tǒng)溫度，防止過(guò)熱。深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵PD快充芯片U8733，就集成了恒功率控制和主動(dòng)降功率控制功能，一起來(lái)看看！氮化鎵PD快充芯片U8733集成恒功率控制與主動(dòng)降功率控制功能，在恒功率區(qū)間，通過(guò)控制輸出電流隨輸出電壓變化，實(shí)現(xiàn)恒功率功能。外置溫度檢測(cè)環(huán)境溫度，當(dāng)溫度過(guò)高主動(dòng)降功率以降低系統(tǒng)溫度，保證系統(tǒng)穩(wěn)定; 閱讀（9）標(biāo)簽：

[公司新聞]PD 20W氮化鎵單電壓應(yīng)用方案：U8722AH+U77152025年05月07日 14:23: 深圳銀聯(lián)寶科技推出的PD20W氮化鎵單電壓應(yīng)用方案，主控芯片使用的是氮化鎵快充芯片U8722AH，同步整流芯片U7715，協(xié)議338E。輸入規(guī)格：180V-264V 50Hz，輸出規(guī)格：C口，PD20W：5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。氮化鎵快充芯片U8722AH特點(diǎn)： 1.集成 700V E-GaN 2.集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 3.超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW 4.谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz) 5.集; 閱讀（16）標(biāo)簽：

[公司新聞]帶恒功率集成高壓E-GaN氮化鎵電源IC U8723AHS2025年05月06日 14:32: 恒功率電源芯片具有穩(wěn)壓、高效、過(guò)載保護(hù)等特性，適用于一些功率要求嚴(yán)格的應(yīng)用場(chǎng)景，如充電器、LED驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)工具等。今天推薦的深圳銀聯(lián)寶帶恒功率集成高壓E-GaN氮化鎵電源ICU8723AHS，不僅可以提高電路的穩(wěn)定性和可靠性，同時(shí)也可以提高能源利用效率，使優(yōu)勢(shì)發(fā)揮到最大！針對(duì)寬輸出電壓應(yīng)用場(chǎng)合，為了滿足VDD的寬電壓應(yīng)用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。氮化鎵電源ICU8723AHS集成了Boost供電技術(shù)，僅在SW管腳添加一顆貼片電; 閱讀（8）標(biāo)簽：

[公司新聞]SOP-7封裝20W氮化鎵快充芯片U8722SP來(lái)咯！2025年04月29日 11:14: 深圳銀聯(lián)寶氮化鎵系列又雙叒叕上“芯”料啦——U8722SP！氮化鎵快充芯片U8722SP采用SOP-7封裝，推薦最大輸出功率20W，集成MOS耐壓700V，典型應(yīng)用于快速充電器和適配器上，腳位如下： 1 GND P 芯片參考地 2 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 3 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 4 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳 5 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極; 閱讀（15）標(biāo)簽：

[公司新聞]氮化鎵快充芯片U8608集成多維度安全防護(hù)機(jī)制2025年04月28日 14:25: 深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8608具有多重故障保護(hù)機(jī)制，通過(guò)集成多維度安全防護(hù)，防止設(shè)備出現(xiàn)過(guò)充電、過(guò)放電、過(guò)電流等問(wèn)題，在電子設(shè)備中構(gòu)建起全方位的安全屏障，今天具體分析一下！ ■輸入過(guò)欠壓保護(hù) (Line OVP/BOP) 氮化鎵快充芯片U8608通過(guò)DRAIN管腳對(duì)母線電壓進(jìn)行采樣，當(dāng)母線電壓值小于Line BOP 保護(hù)閾值VBOP (典型值70Vac)時(shí)，芯片內(nèi)部的Line BOP延遲計(jì)時(shí)使能，計(jì)時(shí)時(shí)間為T(mén)BOP_DELAY(典型值 80ms)，計(jì)時(shí)結(jié)束后觸發(fā)Lin; 閱讀（11）標(biāo)簽：

[公司新聞]25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AH2025年04月24日 10:17: 芯片內(nèi)置Boost電路將功率開(kāi)關(guān)器件（如MOSFET）、驅(qū)動(dòng)電路、反饋網(wǎng)絡(luò)等集成于單一封裝，省去分立元件布局，顯著降低PCB面積需求。深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8723AH內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場(chǎng)景。U8723AH集成峰值電流抖動(dòng)功能和驅(qū)動(dòng)電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能！氮化鎵快充芯片U8723AH特性： ●集成高壓 E-GaN ●集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 ●超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW ●谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(diào)(2; 閱讀（7）標(biāo)簽：

[公司新聞]銀聯(lián)寶氮化鎵電源芯片U8733L與U8733差異化分析2025年04月22日 11:25: 氮化鎵電源芯片U8733L與U8733同屬U8733X系列，都是外置OTP，自帶降功率（限12V最大輸出），集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。但參數(shù)性能略有不同，今天就為各位小伙伴詳細(xì)拆解一下兩者不同之處！ ▲U8733L Vds 耐壓650V，Rdson內(nèi)阻0.8R，ID電流2.5A，推薦功率33W。 ▲U8733 Vds 耐壓700V，Rdson內(nèi)阻0.47--0.6R，ID電流3.3A，推薦功率33W-45W ▲封裝; 閱讀（14）標(biāo)簽：

[公司新聞]充電器ic U7576滿足快速啟動(dòng)和低待機(jī)應(yīng)用需求2025年04月17日 14:15: 深圳銀聯(lián)寶充電器icU7576通過(guò)HV高壓引腳實(shí)時(shí)檢測(cè)交流輸入狀態(tài)，市電斷開(kāi)時(shí)觸發(fā)內(nèi)部放電邏輯，集成了輸出欠壓(BOP)與輸入掉電、X電容放電功能，解決了X電容放電電阻引起的待機(jī)損耗問(wèn)題。采用SOP-8封裝，HV引腳集成650V VDMOS，提升了耐壓性能！充電器icU7576主要特點(diǎn)： 1.集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 2.集成 AC 輸入掉電檢測(cè)與X電容放電功能 3.可支持?jǐn)嗬m(xù)模式、連續(xù)模式的原邊恒流技術(shù) 4.±5%恒流精度；±1%恒壓精度 5.待機(jī)功; 閱讀（5）標(biāo)簽：

[公司新聞]電源管理芯片U3205A擁有良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率2025年04月17日 10:55: 銀聯(lián)寶電源管理芯片U3205A通過(guò)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)負(fù)載狀態(tài)，自動(dòng)調(diào)節(jié)MOSFET的開(kāi)關(guān)頻率，輕載或空載時(shí)降低頻率（如待機(jī)狀態(tài)），減少開(kāi)關(guān)損耗，典型待機(jī)功耗可低于50mW；重載時(shí)提升頻率以維持輸出穩(wěn)定性，確保系統(tǒng)效率最優(yōu)！ ■高壓?jiǎn)?dòng)電路和超低待機(jī)功耗 (50mW) 電源管理芯片U3205A內(nèi)置有一個(gè)500V高壓?jiǎn)?dòng)單元。在開(kāi)機(jī)過(guò)程中該啟動(dòng)單元開(kāi)始工作，從Drain端取電并通過(guò)高壓電流源對(duì)VDD電容進(jìn)行充電，如“功能模塊”中所述。當(dāng)VDD電壓上升至; 閱讀（7）標(biāo)簽：

[公司新聞]5V2.1A電源方案推薦主控U92143+同步U77102025年04月14日 14:58: 5V2.1A電源方案推薦深圳銀聯(lián)寶科技的開(kāi)關(guān)電源芯片U92143+同步整流芯片U7710，有興趣的小伙伴可以來(lái)電詢問(wèn)詳細(xì)資料。今天簡(jiǎn)單介紹下！開(kāi)關(guān)電源芯片U92143是一款高性能、低成本的原邊控制功率開(kāi)關(guān)，內(nèi)置高壓功率三極管，可提供高精度恒壓和恒流輸出性能，尤其適合于小功率離線式充電器應(yīng)用。采用U92143可以工作無(wú)異音，同時(shí)可保證優(yōu)異的動(dòng)態(tài)性能。利用集成的線損補(bǔ)償功能，可獲得高性能的恒壓輸出表現(xiàn)。開(kāi)關(guān)電源芯片U92143集成有多種保護(hù)功能：如VDD欠壓保護(hù)(UVLO); 閱讀（10）標(biāo)簽：

[公司新聞]電源管理ic U6101S僅需少量外圍元件即可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定恒流輸出2025年04月11日 15:09: 外驅(qū)副邊內(nèi)置恒流芯片如深圳銀聯(lián)寶電源管理icU6101S采用副邊控制技術(shù)，將恒流功能集成于芯片部，僅需少量外圍元件即可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的恒流輸出，顯著降低系統(tǒng)復(fù)雜度。典型設(shè)計(jì)包含原邊反饋（FB）管腳，通過(guò)電阻分壓調(diào)節(jié)輸出電壓/電流，支持寬電壓輸入范圍（85-265V AC）。高效率、外圍簡(jiǎn)單，與昂寶OB2269腳位一致，可兼容多種啟動(dòng)供電模式。U6101S引腳如下： 1 GND 芯片參考地。 2 FB 系統(tǒng)反饋管腳。輔助繞組電壓經(jīng)電阻分壓后送至FB管腳，用于CV模式輸出電壓控制及 C; 閱讀（5）標(biāo)簽：

[公司新聞]原邊反饋5V2A充電器芯片CY3783A精準(zhǔn)控壓2025年04月10日 14:23: 通過(guò)檢測(cè)原邊繞組參數(shù)（如電流、電壓）間接控制輸出電壓，無(wú)需次級(jí)反饋電路，降低系統(tǒng)復(fù)雜度并提升響應(yīng)速度，可以有效提高芯片恒壓控制精度。銀聯(lián)寶充電器芯片CY3783A具有出色的恒壓控制精度，且內(nèi)置準(zhǔn)諧振導(dǎo)通模式和多模式控制（PWM+PFM），優(yōu)化輕載效率，適用功率10W！; 閱讀（20）標(biāo)簽：

[公司新聞]氮化鎵電源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料號(hào) 功率65W2025年04月10日 11:19: 深圳銀聯(lián)寶科技氮化鎵電源芯片U8722X家族，喜提“芯”成員——U8722FE，推薦最大輸出功率65W，集成MOS耐壓700V，采用ESOP-7，編帶盤(pán)裝，5000顆/卷，內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場(chǎng)景。氮化鎵電源芯片U8722FE采用峰值電流控制模式，可以自適應(yīng)的工作在QR和降頻工作模式，從而實(shí)現(xiàn)全負(fù)載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化。在滿載和重載工況下，系統(tǒng)工作在QR工作模式，可以大幅降低系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)損耗。芯片; 閱讀（15）標(biāo)簽：

[公司新聞]6W電源IC U95123小體積暗藏大實(shí)力2025年04月09日 11:20: 為電動(dòng)剃須刀進(jìn)行科學(xué)合理的充電，首先需明確其電源類(lèi)型。市場(chǎng)上主要分為內(nèi)置式電池與外置式電池兩類(lèi)，前者需整體放入充電底座，后者則需取出電池用充電器單獨(dú)充電。其次，要把握好充電時(shí)間。再者，充電底座要選用品質(zhì)過(guò)硬的配件。深圳銀聯(lián)寶6W電源ICU95123在剃須刀電源市場(chǎng)應(yīng)用許久，充電快、續(xù)航能力強(qiáng)，是一顆寶藏IC，推薦給小伙伴們！在芯片開(kāi)始工作之前，電源ICU95123僅消耗典型值為1.1uA的啟動(dòng)電流，超低啟動(dòng)電流可以幫助增加啟動(dòng)電阻阻值以達(dá)到降低待機(jī)功耗的目的。當(dāng)VDD電壓超; 閱讀（5）標(biāo)簽：

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