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副邊150W開關電源芯片 SF5877
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副邊反饋/外驅MOSFET,內置軟啟動
效率滿足六級能效
輸出過壓保護（OVP）電壓可外部編程
外部編程過溫（OTP）保護
內置拔插頭鎖存(latch plugoff)保護
管腳浮空保護
啟動電流 <>br/內置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
內置前沿消隱
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原邊12W開關電源芯片 U6117D
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效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于70mW
原邊反饋,內置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
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原邊6W開關電源芯片 SF6772S
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效率滿足六級能效要求
內置反饋腳（FB）電路保護
原邊反饋/內置MOSFET,±5%恒壓恒流精度
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現(xiàn)高精度
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
逐周期電流限制，內置前沿消隱
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副邊15W開關電源芯片 SF1539HT
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內置600V功率MOSFET
可編程外部過溫保護OTP
專利的“零OCP恢復間隙控制”避免低壓啟動失敗
副邊反饋/內置MOSFET,內置4ms軟啟動
管腳浮空保護
啟動電流
內置頻率抖動EMI
內置同步斜率補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
內置前沿消隱
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副邊15W開關電源芯片 SF1539
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內置600V功率MOSFET
可編程外部過溫保護OTP
專利的“零OCP恢復間隙控制”避免低壓啟動失敗
內置4ms軟啟動
管腳浮空保護
啟動電流
內置頻率抖動EMI
內置同步斜率補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
副邊反饋/內置MOSFET,內置前沿消隱
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副邊15W開關電源芯片 SF1538
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副邊反饋/內置600V功率MOSFET
可編程外部過溫保護OTP
專利的“零OCP恢復間隙控制”避免低壓啟動失敗
內置4ms軟啟動
管腳浮空保護
啟動電流
內置頻率抖動EMI
內置同步斜率補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
內置前沿消隱
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原邊15W開關電源芯片 SF5928S
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專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒壓恒流高精度
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
內置專利的線損電壓補償
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現(xiàn)高精度
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
原邊反饋/內置MOSFET,輸出過壓保護
逐周期電流限制，內置前沿消隱
VDD欠壓保護（UVLO），過壓保護及鉗位
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原邊9W開關電源芯片 SF5926S
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專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒壓恒流高精度
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
內置專利的線損電壓補償
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現(xiàn)高精度
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
原邊反饋/內置MOSFET,輸出過壓保護
逐周期電流限制，內置前沿消隱
VDD欠壓保護（UVLO），過壓保護及鉗位
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原邊6W開關電源芯片 SF5922S
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專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒壓恒流高精度
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
內置專利的線損電壓補償
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現(xiàn)高精度
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
原邊反饋/內置MOSFET,輸出過壓保護
逐周期電流限制，內置前沿消隱
VDD欠壓保護（UVLO），過壓保護及鉗位
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副邊150W開關電源芯片 SF1565
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頻率可外部編程，并內置頻率抖動EMI
副邊反饋/外驅MOSFET,啟動電流
管腳浮空保護
內置同步斜率補償
逐周期電流限制，內置前沿消隱
內置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護（UVLO），過壓保護及鉗位
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副邊150W開關電源芯片 SF1560
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頻率可外部編程，并內置頻率抖動EMI
副邊反饋/外驅MOSFET,啟動電流
管腳浮空保護
內置同步斜率補償
逐周期電流限制，內置前沿消隱
內置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護（UVLO），過壓保護及鉗位
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副邊150W開關電源芯片 SF5897
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滿足六級能效
副邊反饋/外驅MOSFET,內置軟啟動
輸出過壓保護（OVP）電壓可外部編程
內置拔插頭鎖存(latch plugoff)保護
管腳浮空保護
逐周期電流限制，內置前沿消隱
內置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護（UVLO），過壓保護及鉗位
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副邊70W開關電源芯片 SF5887
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副邊反饋/外驅MOSFET,內置軟啟動
效率滿足六級能效
輸出過壓保護（OVP）電壓可外部編程
外部編程過溫（OTP）保護
內置拔插頭鎖存(latch plugoff)保護
管腳浮空保護
啟動電流
內置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
內置前沿消隱
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副邊50W開關電源芯片 SF1530
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副邊反饋/外驅MOSFET,管腳浮空保護
系統(tǒng)頻率可編程，并內置頻率抖動EMI
內置同步斜率補償
逐周期電流限制，內置前沿消隱
內置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
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原邊10W開關電源芯片 U6117SA
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原邊反饋/內置MOSFET
效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于70mW
內置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
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原邊25W開關電源芯片 SF6771T
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原邊反饋/外置MOSFET
效率滿足六級能效要求
優(yōu)化降頻技術提率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
內置頻率抖動EMI
內置同步斜率補償. 逐周期電流限制, 內置前沿消隱
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副邊60W開關電源芯片 U6201
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恒流控制支持CCM和DCM模式
自動補償輸入電壓.電感感量變化
±5％恒壓恒流精度, 快速動態(tài)響應控制
副邊反饋/外驅MOSFET,待機功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
啟動電流
逐周期電流限制,
內置斜率補償
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原邊6W開關電源芯片 U6117S
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效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于70mW
內置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
內置快速動態(tài)響應控制，無異音工作
內置可編程線損電壓補償
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
原邊反饋/內置MOSFET,內置短路保護
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副邊65W開關電源芯片 SF5533
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副邊反饋/外驅MOSFET
效率滿足六級能效要求
優(yōu)化降頻技術提率
無異音OCP補償?shù)蛪褐剌d異音
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
內置頻率抖動EMI
內置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內置同步斜率補償. 逐周期電流限制, 內置前沿消隱
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副邊18W開關電源芯片 SF5549H
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副邊反饋/內置MOSFET
效率滿足六級能效要求
內置650V 功率MOSFET
內置65KHz 工作頻率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
電流啟動
內置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內置頻率抖動EMI
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