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PFC肖特基 PFS5L200
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關(guān)速度更快
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PFC肖特基 PFS5L150
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關(guān)速度更快
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PFC肖特基 PTR10100CTB
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關(guān)速度更快
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PFC肖特基 PFS5L40
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關(guān)速度更快
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原邊25W開關(guān)電源芯片 SF6771T
更多 +
原邊反饋/外置MOSFET
效率滿足六級能效要求
優(yōu)化降頻技術(shù)提率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓啟動失敗
內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置同步斜率補償. 逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
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副邊60W開關(guān)電源芯片 U6201
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恒流控制支持CCM和DCM模式
自動補償輸入電壓.電感感量變化
±5％恒壓恒流精度, 快速動態(tài)響應(yīng)控制
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,待機功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
啟動電流
逐周期電流限制,
內(nèi)置斜率補償
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原邊6W開關(guān)電源芯片 U6117S
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效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于70mW
內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
內(nèi)置快速動態(tài)響應(yīng)控制，無異音工作
內(nèi)置可編程線損電壓補償
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
原邊反饋/內(nèi)置MOSFET,內(nèi)置短路保護
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原邊12W開關(guān)電源芯片 U6315
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QR-PSR控制提高工作效率。
±4% 的恒流恒壓精度,PSR控制模式。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機＜70mW。
原邊反饋/內(nèi)置三極管,內(nèi)置專利的線損電壓補償。
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護。
VDD欠壓保護，VDD過壓保護及鉗位。
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原邊6W開關(guān)電源芯片 U6215
更多 +
效率滿足六級能效要求
內(nèi)置700V 功率三極管
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
內(nèi)置可編程線損電壓補償
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
原邊反饋/內(nèi)置三極管,內(nèi)置短路保護
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
OTP過溫保護
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副邊65W開關(guān)電源芯片 SF5533
更多 +
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET
效率滿足六級能效要求
優(yōu)化降頻技術(shù)提率
無異音OCP補償?shù)蛪褐剌d異音
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓啟動失敗
內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內(nèi)置同步斜率補償. 逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
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副邊18W開關(guān)電源芯片 SF5549H
更多 +
副邊反饋/內(nèi)置MOSFET
效率滿足六級能效要求
內(nèi)置650V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓啟動失敗
電流啟動
內(nèi)置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內(nèi)置頻率抖動EMI
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原邊5W開關(guān)電源芯片 SF6022
更多 +
效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護
±4％恒壓恒流精度，支持高50V 輸出電壓
內(nèi)置快速動態(tài)響應(yīng)控制，無異音工作，
內(nèi)置專利的線損電壓補償，提高量產(chǎn)精度
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
零電壓帶載啟動減小OCP恢復(fù)間隙
VDD欠壓保護（UVLO）,過壓保護及鉗位
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原邊15W開關(guān)電源芯片 SF5938S
更多 +
效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內(nèi)置600V 功率MOSFET
內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護
內(nèi)置專利的線損補償,提高量產(chǎn)精度
內(nèi)置快速動態(tài)響應(yīng)控制
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
支持高50V 輸出電壓
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原邊13W開關(guān)電源芯片 SF6773V
更多 +
效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內(nèi)置650V 功率MOSFET
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
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隔離36W開關(guān)電源芯片 SFL950
更多 +
提高系統(tǒng)效率，異音。
內(nèi)置頻率抖動EMI。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求。
內(nèi)置高低壓過流補償。
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護。
待機功耗(≤75mW)
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10W系列 5V 2A電源方案
PSR控制模式，無光耦，無431。更多 +
±5% 的恒流恒壓精度。
專利的‘NC-Cap/PSR’技術(shù)。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機＜75mW。
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副邊50W開關(guān)電源芯片 SF5773
品牌：銀聯(lián)寶電子更多 +
型號：SF5773 SSR控制模式，
±5% 的恒壓精度。
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機＜75mW。
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副邊15W開關(guān)電源芯片 SF5539H
更多 +
效率滿足六級能效要求
副邊反饋/內(nèi)置600V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓啟動失敗
內(nèi)置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內(nèi)置頻率抖動EMI
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24W系列 12V2A能效六級方案
提高系統(tǒng)效率，異音更多 +
內(nèi)置軟啟動, 管腳浮空保護
效率滿足 六級能效
啟動電流
QR技術(shù)提高全負(fù)載效率,EMI和谷底切換異音
輸出過壓保護電壓可外部編程
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護(ULVO), 過壓保護及鉗位
零電壓帶載啟動減小OCP恢復(fù)間隙
內(nèi)置頻率抖動EMI
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18W系列12V1.5A能效六級方案
更多 +
效率滿足六級能效要求
內(nèi)置650V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓啟動失敗
電流啟動
內(nèi)置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護(ULVO), 過壓保護及鉗位
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