- [公司新聞]45W單壓單C氮化鎵電源方案：主控U8722EE+同步U7116W2025年06月04日 10:28
- 45W單壓單C氮化鎵電源方案推薦的主控芯片是來自深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵電源芯片U8722EE，同步也是采用銀聯(lián)寶的同步整流芯片U7116W。為大家介紹下芯片的主要性能！ 氮化鎵電源芯片U8722EE特性： 集成700V E-GaN 集成高壓啟動功能 超低啟動和工作電流，待機(jī)功耗30mW 谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz) 集成EMI優(yōu)化技術(shù) 驅(qū)動電流分檔配置 集成 Boost 供電電路 集成完備的保護(hù)功能： VDD過壓/欠壓保護(hù) (VDD OV
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- [公司新聞]內(nèi)置0.85/650V的超結(jié)硅電機(jī)驅(qū)動器電源芯片U86232025年06月03日 11:38
- ■功能描述 電機(jī)驅(qū)動器電源芯片U8623是一款峰值電流控制方式的PWM電源管理芯片，適用于離線型的反激拓?fù)溟_關(guān)變換器。U8623內(nèi)置合封一顆0.85Ω/650V的高壓MOS。芯片設(shè)計有完善的多種保護(hù)功能和自適應(yīng)選擇工作模式，使得適用U8623的電源系統(tǒng)具有全負(fù)載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應(yīng)用元件。 ■系統(tǒng)啟動和靜態(tài)電流 電機(jī)驅(qū)動器電源芯片U8623的啟動電流低至10uA，啟動電路的電阻值可以高達(dá)4M，這樣使電源系統(tǒng)擁有更低的損耗；芯片靜態(tài)電流
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- [公司新聞]集成MOS耐壓700V低啟動低功耗的PD快充芯片U8722SP2025年05月30日 14:16
- 耐壓值定義了芯片安全工作電壓上限，若輸入電壓超過該值（如動態(tài)波動或負(fù)載突變），可能引發(fā)擊穿或永久損壞，直接影響器件可靠性、性能表現(xiàn)及系統(tǒng)適配性。高耐壓芯片需更大厚度或更高電阻率的半導(dǎo)體材料，工藝制程要求更高。深圳銀聯(lián)寶科技的PD快充芯片U8722SP是一款集成 E-GaN 的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)，集成MOS耐壓700V，值得一試！ PD快充芯片U8722SP集成了高壓啟動功能。如圖1所示，在啟動階段，U8722SP通過芯片DRAIN腳對VDD充電，當(dāng)VDD電
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- [公司新聞]12v3a原邊反饋快充電源ic U8609節(jié)省光耦和TL4312025年05月29日 14:48
- GaN FET支持MHz級開關(guān)頻率，顯著高于傳統(tǒng)硅基器件，通過減小無源元件體積實現(xiàn)系統(tǒng)小型化，使開關(guān)損耗降低20%-30%。深圳銀聯(lián)寶快充電源icU8609合封第三代半導(dǎo)體GaN FET，最高工作頻率130kHz，采用原邊反饋控制，可節(jié)省光耦和TL431，簡化電源BOM，有利于降低電源尺寸！ 快充電源icU8609是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關(guān)管，可為18~65W適配器應(yīng)用提供全新的解決方案。U8609集成谷底鎖定技術(shù)可以防止頻率抖動產(chǎn)生噪音。它采用CS
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- [公司新聞]ASOP7-T4封裝E-GaN快充電源芯片U8724AHS2025年05月29日 11:25
- 芯片的腳位是芯片與外部電路進(jìn)行連接的橋梁。通過引腳，芯片可以與電路板上的其他組件進(jìn)行連接，構(gòu)成完整的電路。引腳用于為芯片提供電源和接地，還可以用于控制和指示芯片的工作狀態(tài)。今天，就請跟著銀聯(lián)寶小編的視角，一起看看關(guān)于快充電源芯片U8724AHS引腳的事！ 快充電源芯片U8724AHS封裝形式ASOP7-T4，引腳特征如下： 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅(qū)動能力分檔判定管腳
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- [公司新聞]22.5W PD快充電源芯片應(yīng)用方案之U8621+U7610B2025年05月28日 14:28
- 受限于設(shè)備本身的體積和當(dāng)下電池技術(shù)的瓶頸，電池容量無法顯著突破，快速“補(bǔ)電”成為了眼下解決電量焦慮的最切實可行的解決辦法。深圳銀聯(lián)寶今天推薦的是22.5W快充電源芯片應(yīng)用方案之——U8621+U7610B！ 快充電源芯片U8621是一款峰值電流控制方式的PWM電源管理芯片，適用于離線型的反激拓?fù)溟_關(guān)變換器。U8621內(nèi)置合封一顆1.9Ω/630V的高壓MOS。芯片設(shè)計有完善的多種保護(hù)功能和自適應(yīng)選擇工作模式，使得適用U8621
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- [公司新聞]耐壓650V氮化鎵快充芯片U8733L優(yōu)化能源利用效率2025年05月27日 11:34
- 恒功率控制方式通過精確的控制策略和先進(jìn)的電子技術(shù)，實現(xiàn)了在各種工況下輸出功率的恒定。其基本原理是通過調(diào)節(jié)系統(tǒng)的輸入或輸出參數(shù)（如電壓、電流等），使得系統(tǒng)在負(fù)載變化時能夠維持輸出功率不變。銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8733L集成恒功率控制與主動降功率控制功能，在恒功率區(qū)間，通過控制輸出電流隨輸出電壓變化，實現(xiàn)恒功率功能。 氮化鎵快充芯片U8733L特征： 集成 700V E-GaN 集成高壓啟動功能 超低啟動和工作電流，待機(jī)功耗 30mW 谷底鎖定模式，最 高 工 作 頻 率 兩
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- [公司新聞]氮化鎵快充電源ic U8765全負(fù)載功率范圍內(nèi)效率優(yōu)化2025年05月26日 11:41
- QR模式一般工作在變頻模式下，根據(jù)負(fù)載大小改變變換器的頻率。當(dāng)負(fù)載變輕時，變換器的頻率會增加，以適應(yīng)輕載條件下的高效運(yùn)行。QR模式通過檢測原邊電流和電壓的變化，實現(xiàn)開關(guān)管的最佳開通時機(jī)，從而減少開關(guān)損耗。氮化鎵快充電源icU8765采用峰值電流控制模式，可以自適應(yīng)的工作在QR和降頻工作模式，從而實現(xiàn)全負(fù)載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化！ 在滿載和重載工況下，系統(tǒng)工作在QR工作模式，可以大幅降低系統(tǒng)的開關(guān)損耗。氮化鎵快充電源icU8765根據(jù)FB電壓值調(diào)節(jié)谷底個數(shù)，同時為了避免系統(tǒng)在臨界
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- [公司新聞]同步整流芯片U7106在氮化鎵電源方案U8766中的應(yīng)用2025年05月23日 14:22
- 氮化鎵器件開關(guān)頻率升級，同步整流芯片需具備高速響應(yīng)能力，確保高頻工況下精準(zhǔn)控制同步整流管的開通與關(guān)斷時。同步整流芯片U7106應(yīng)用在氮化鎵電源芯片U8766中可顯著減少功率損耗，提升轉(zhuǎn)換效率！ 同步整流芯片U7106是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開關(guān)，可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7106內(nèi)置有VDD高壓供電模塊，無需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，系統(tǒng)上支持High Side和Low Side配置，兼顧了系統(tǒng)性能和成本。 同步整流芯片U7106特性
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- [公司新聞]65W集成EMI優(yōu)化技術(shù)的E-GaN電源芯片U8722FE2025年05月22日 14:24
- E-GaN電源芯片U8722FE是U8722X系列最新增加的型號，ID(A)(TJ=125℃)4.0，耐壓700V，推薦功率60W，采用的是ESOP-7封裝，具體腳位如下： 1 CSI/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB P 系統(tǒng)反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅(qū)動能力分檔判定管腳 4 VDD P 芯片供電管腳 5 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳 6,7 GND P 芯片參考地 8 DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN
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- [公司新聞]全電壓！PD 20W氮化鎵電源方案認(rèn)證款：U8722BAS+U7612B2025年05月22日 10:39
- 上次給大家介紹了20W氮化鎵單電壓的應(yīng)用方案，立馬就有小伙伴發(fā)出了全電壓應(yīng)用方案的需求。深圳銀聯(lián)寶科技有求必應(yīng)，PD 20W氮化鎵電源方案全電壓認(rèn)證款：U8722BAS+U7612B方案來咯！ 主控氮化鎵電源芯片U8722BAS是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。U8722BAS的工作頻率最高可達(dá)220kHz，可全范圍工作在準(zhǔn)諧振模式。芯片集成峰值電流抖動功能
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- [公司新聞]氮化鎵GaN快充芯片U8732輕松應(yīng)對充電問題2025年05月21日 14:36
- 氮化鎵充電器與普通充電器在充電效率方面對比，性能遙遙領(lǐng)先。它支持多種快充協(xié)議，如PD、QC等，能夠智能識別設(shè)備所需的充電功率，實現(xiàn)快速充電。無論是蘋果手機(jī)、安卓手機(jī)，還是筆記本電腦、平板電腦，氮化鎵充電器都能輕松應(yīng)對，一充搞定。充電器自然離不開芯片的支持，今天主推的就是來自深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵GaN快充芯片U8732！ 氮化鎵GaN快充芯片U8732特點： 1.集成 700V E-GaN 2.集成高壓啟動功能 3.超低啟動和工作電流，待機(jī)功耗 30mW 4.谷底鎖定模式，
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- [公司新聞]30W單高壓耐壓700V氮化鎵電源ic U8724AH2025年05月20日 10:24
- CS管腳通常用于采樣電感電流，實現(xiàn)峰值電流控制，并且可以限制最大輸入電流，從而實現(xiàn)過流保護(hù)功能。此外，CS管腳還可以用于設(shè)定系統(tǒng)的最高工作頻率。通過連接不同阻值的RSEL電阻，可以設(shè)定不同的系統(tǒng)工作頻率上限。氮化鎵電源icU8724AH復(fù)用CS管腳以設(shè)定系統(tǒng)最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。 芯片啟動時，氮化鎵電源icU8724AH通過檢測RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設(shè)定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統(tǒng)工作頻率上限。選檔判定結(jié)束后系統(tǒng)鎖定，每一次啟
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- [公司新聞]氮化鎵PD快充ic U8608輸入過欠壓保護(hù)電路安全運(yùn)行2025年05月19日 11:36
- 過壓保護(hù)和欠壓保護(hù)是維護(hù)芯片電路安全運(yùn)行的關(guān)鍵功能。有些芯片會提供一個欠壓保護(hù)引腳，當(dāng)欠壓保護(hù)被觸發(fā)時，該引腳會產(chǎn)生一個信號。通過檢測該引腳的狀態(tài)，可以判斷芯片是否處于欠壓保護(hù)狀態(tài)。深圳銀聯(lián)寶氮化鎵PD快充icU8608輸入過欠壓保護(hù) (Line OVP/BOP)，先來看看它的引腳。 PD快充icU8608引腳特征： 1 NTC I/O 外置過溫檢測管腳 2 COMP I/O 運(yùn)放輸出，在該 pin 腳和 GND 之間連接阻容網(wǎng)絡(luò)用于調(diào)節(jié)環(huán)路。 3 FB I/O 輸出反饋、
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- [公司新聞]氮化鎵PD快充芯片U8722DAS可減少高頻噪聲和應(yīng)力沖擊2025年05月16日 11:48
- 氮化鎵PD快充芯片U8722DAS集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能，在輕載模式下，芯片將原邊開通速度減半（如配置為特定驅(qū)動電流檔位時），減緩開關(guān)動作的瞬態(tài)變化，從而減小次級側(cè)SR器件的電壓尖峰，通過分壓電阻設(shè)置驅(qū)動電流檔位（三檔可選），平衡EMI性能與效率。低驅(qū)動電流檔位可降低SR開關(guān)速度，減少高頻噪聲和應(yīng)力沖擊。 氮化鎵PD快充芯片U8722DAS特征： ▲集成 高壓 E-GaN ▲集成高壓啟動功能 ▲超低啟動和工作電流，待機(jī)功耗 30mW ▲谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(diào)(
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- [公司新聞]20W氮化鎵電源ic U8722SP谷底鎖定模式優(yōu)化損耗2025年05月15日 14:33
- 谷底鎖定模式是一種應(yīng)用于開關(guān)電源如反激式拓?fù)洹?zhǔn)諧振電源中的關(guān)鍵技術(shù)，其核心在于通過精確控制開關(guān)管的導(dǎo)通時機(jī)以降低損耗和提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。在深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的20W氮化鎵電源icU8722SP中，谷底鎖定及降頻工作模式，可以有效避免負(fù)載變化時因谷底跳頻導(dǎo)致的變壓器工作不穩(wěn)定或噪聲問題，延長器件壽命，也為系統(tǒng)效率帶來了一定的提升！ 氮化鎵電源icU8722SP采用峰值電流控制模式，可以自適應(yīng)的工作在QR和降頻工作模式，從而實現(xiàn)全負(fù)載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化。在滿載和重載工況下
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- [公司新聞]45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U72692025年05月15日 10:56
- 氮化鎵電源電路由于減少了元件數(shù)量和功率轉(zhuǎn)換器占用的空間而更具吸引力。深圳銀聯(lián)寶科技作為E-GaN快充電源方案制造商，大量投入工程研發(fā)以應(yīng)對各類技術(shù)挑戰(zhàn)，為市場提供了各種功率級和多種功能的集成解決方案，今天推薦的是銀聯(lián)寶45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269！ 快充電源芯片U8726AHE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路，驅(qū)動電壓為VDRV (典型值6.4V)。E
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- [公司新聞]30W E-GaN高頻高性能快充電源ic U87312025年05月14日 11:14
- GaN器件采用二維電子氣結(jié)構(gòu)，能夠提供更高的電子遷移率和導(dǎo)電性能，因此適用于高頻應(yīng)用，可以實現(xiàn)更高效的功率轉(zhuǎn)換。深圳銀聯(lián)寶科技研發(fā)生產(chǎn)的快充電源icU8731，集成700VE-GaN，高頻高性能，推薦工作頻率130KHz/220KHz，推薦最大輸出功率30W，介紹給小伙伴們！ 快充電源icU8731采用的是HSOP-7封裝，管腳說明如下： 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅(qū)動能
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- [公司新聞]12V2A/3A氮化鎵電源方案U8607/U8609+同步整流芯片U76132025年05月13日 10:54
- 深圳銀聯(lián)寶科技最新上市的氮化鎵電源方案：U8607/U8609+同步整流芯片U7613，推薦輸出功率12V2A、12V3A，非標(biāo)共板，方案成熟，性能可靠，可滿足更高性能要求、更低成本需求！ 氮化鎵電源芯片U8607/U8609采用原邊反饋控制，可節(jié)省光耦和TL431，簡化電源BOM。它合封第三代半導(dǎo)體GaN FET，最高工作頻率130kHz，有利于降低電源尺寸。特征如下： *原邊反饋控制，無需光耦和 TL431 *集成 700V GaN FET 驅(qū)動 *集成高壓啟動功能 *
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- [公司新聞]33W全負(fù)載高效率超結(jié)硅電源管理方案：U8623+U7612B2025年05月12日 14:49
- 由于芯片結(jié)構(gòu)的改變，超結(jié)MOS的結(jié)電容比傳統(tǒng)MOS有很大的降低，超結(jié)MOS具有極低的內(nèi)阻，在相同的芯片面積下，超結(jié)MOS芯片的內(nèi)阻甚至只有傳統(tǒng)MOS的一半以上。較低的內(nèi)阻，能降低損耗，減少發(fā)熱。今天深圳銀聯(lián)寶科技帶來的是33W全負(fù)載高效率超結(jié)硅電源管理方案：U8623+U7612B，可顯著提升產(chǎn)品的易用性和效率！ 電源管理芯片U8623是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM 電源管理芯片，內(nèi)置0.85Ω/650V的超結(jié)硅功率 MOS。U8623具有全負(fù)載高效率、低空載
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