EMI性能為高頻交直流轉換器的設計難點，為此氮化鎵電源芯片U8726AHE通過DEM管腳集成了驅動電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅動電流，進而調節GaN FET的開通速度，系統設計者可以獲得最優的EMI性能和系統效率的平衡。

氮化鎵電源芯片U8726AHE引腳：

1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

2 FB I 系統反饋輸入管腳

3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅動能力分檔判定管腳

4 VDD P 芯片供電管腳

5 SW P Boost 電路內置 MOS 的漏極管腳

6 GND P 芯片參考地

7 DRAIN P 內置高壓 GaN FET 漏極、高壓啟動供電管腳

氮化鎵電源芯片U8726AHE特點：

1. 集成 高壓 E-GaN

2. 集成高壓啟動功能

3. 超低啟動和工作電流，待機功耗 <30mW

4. 谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(220kHz，130kHz)

5. 集成 EMI 優化技術

6. 驅動電流分檔配置

7. 集成 Boost 供電電路

8. 集成完備的保護功能：

 VDD 過壓/欠壓保護 (VDD OVP/UVLO)

輸出過壓/欠壓保護 (DEM OVP/UVP)

輸入過壓/欠壓保護 (LOVP /BOP)

片內過熱保護 (OTP)

逐周期電流限制 (OCP)

異常過流保護 (AOCP)

短路保護 (SCP)

過載保護 (OLP)

前沿消隱 (LEB)

CS 管腳開路保護

9. 封裝類型 ESOP-7

氮化鎵電源芯片U8726AHE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路，驅動電壓為VDRV (典型值 6.4V)。U8726AHE還集成輕載SR應力優化功能，在驅動電流配置為第一、第二、第三檔位時，當芯片工作于輕載模式時，將原邊開通速度減半，減小空載時SR的Vds應力過沖。