通常來講，充電器輸出功率的增加，充電器的體積也要相應擴大。因為內置GaN芯片的使用，快充充電器擁有小體積、高性能、協議多、節能高等特點，所以快充充電器比我們設想的要小、要薄。今天推薦的是一款集成E-GaN的高頻高性能準氮化鎵快充ic U8733L，特別適應于快速充電器和適配器上！

氮化鎵快充ic U8733L采用峰值電流控制模式，可以自適應的工作在QR和降頻工作模式，從而實現全負載功率范圍內的效率優化。在滿載和重載工況下，系統工作在QR工作模式，可以大幅降低系統的開關損耗。芯片根據FB電壓值調節谷底個數，同時為了避免系統在臨界負載處的FB電壓波動導致谷底數跳變，產生噪音，U8733L采用了谷底鎖定工作模式在負載一定的情況下，導通谷底數穩定，系統無噪音。

隨著負載的逐漸降低，系統導通的谷底個數逐漸增加，當谷底數超過6個時，不再檢測谷底電壓，系統進入降頻工作模式，通過進一步降低開關頻率，減小開關損耗，優化系統輕載效率。

氮化鎵快充ic U8733L集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路，驅動電壓為VDRV(典型值 6.4V)。EMI性能為高頻交直流轉換器的設計難點，為此U8733L通過DEM管腳集成了驅動電流分檔配置功能。如圖所示，通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅動電流，進而調節GaN FET的開通速度，系統設計者可以獲得最優的EMI性能和系統效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數表。

U8733L系列還集成輕載SR應力優化功能，在驅動電流配置為第一、第二、第三檔位時，當芯片工作于輕載模式時，將原邊開通速度減半，減小空載時SR的Vds應力過沖。

GaN功率器件可以實現更高的功率密度和轉換效率，從而縮小充電器的體積和重量，并提高充電速度和安全性。深圳銀聯寶科技自推出各式各樣氮化鎵快充ic后，受到了越來越多充電器客戶和適配器客戶的關注，原廠直銷，供貨穩定，更有一站式方案服務團隊為您傾情服務，隨時提供技術支持和疑惑解答！