高性能、副邊同步整流芯片U7610是一款用于替代 Flyback 副邊肖特基二極管的高性能同步整流開關(guān)，內(nèi)置超低導(dǎo)通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效率。U7610支持High Side和Low Side配置，也支持系統(tǒng)斷續(xù)工作模式(DCM)和準(zhǔn)諧振工作模式(QR)。U7610 集成有VDD欠壓保護(hù)和VDD電壓鉗位功能。U7610 內(nèi)置VDD 高壓供電模塊，無需VDD輔助繞組供電，降低了系統(tǒng)成本。對于Low Side 配置的12V系統(tǒng)，增加Vo LDO 供電方式以降低供電損耗。

■VDD HV 自供電模式

在High Side配置和Low Side配置下，將VDD引腳和Vo引腳短接，對地接VDD電容，同步整流芯片U7610處于VDD自供電模式。在原邊MOSFET導(dǎo)通期間，IC內(nèi)部穩(wěn)壓器將從其Drain管腳抽取電流向VDD供電，以使VDD電壓維持在恒定值 (典型值7.1V)。基于高頻解耦和供電考慮，VDD電容推薦選取容量為1μF的陶瓷電容。

■開通階段

變壓器副邊續(xù)流階段開始時(shí)，同步整流MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài)，副邊電流經(jīng)MOSFET體二極管實(shí)現(xiàn)續(xù)流，同時(shí)在體二極管兩端形成一負(fù)向Vds電壓(<-500mV)。該負(fù)向Vds電壓遠(yuǎn)小于 U7610 內(nèi)部MOSFET開啟檢測閾值 (典型值-300mV)，故經(jīng)過開通延遲(典型值40ns)后內(nèi)部 MOSFET開通。

■關(guān)斷階段

在同步整流MOSFET導(dǎo)通期間，同步整流芯片U7610采樣MOSFET漏-源兩端電壓 (Vds)。當(dāng)Vds電壓高于MOSFET關(guān)斷閾值(典型值-7mV)，內(nèi)部MOSFET將在關(guān)斷延遲(典型值60ns)后被關(guān)斷。

■Vo LDO 供電模式

在Low Side 配置下，將Vo引腳接輸出正極、VDD引腳對地接VDD電容，IC 處于Vo LDO供電模式，Vo通過LDO給VDD供電，有效降低了供電損耗。基于高頻解耦和供電考慮，VDD 電容推薦選取容量為1μF的陶瓷電容。

■系統(tǒng)啟動

當(dāng)VDD電壓低于欠壓保護(hù)閾值后(2.8V 典型值)，同步整流芯片U7610進(jìn)入睡眠模式，同時(shí)內(nèi)部同步整流 MOSFET進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài)，副邊繞組電流經(jīng)內(nèi)部同步整流MOSFET的體二極管實(shí)現(xiàn)續(xù)流。當(dāng)VDD 電壓高于VDD開啟電壓后(3.1V 典型值)，芯片開始工作。芯片內(nèi)部同步整流MOSFET只在副邊續(xù)流期間才能開通。