內(nèi)置高壓開關(guān)MOS6級能效適配器芯片U6117D。

U6117D效率滿足六級能效要求 ,是一款多模式（Multi-Mode）控制的高精度原邊反饋控制（PSR）恒流恒壓（CC/CV）控制器。

芯片內(nèi)置功率MOS，采用了DIP-8封裝，減少元器件的數(shù)量使得外圍電路精簡，用頻率調(diào)制方法來提高系統(tǒng)效率和減小電磁干擾。內(nèi)置環(huán)路補償，可以省去額外的補償或濾波電容，還內(nèi)置線纜壓降補償，由此取得良好的負(fù)載調(diào)整率。現(xiàn)廣泛應(yīng)用于適配器電源廠家。

1. 反饋工作模式：U6117D為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓啟動電路，可實現(xiàn)芯片空載損耗（230VAC） 小于30mW。

2. 恒壓恒流模式 ：采用準(zhǔn)諧振與多模式技術(shù)提率并音頻噪聲，使得系統(tǒng)滿足6級能效標(biāo)準(zhǔn)，可調(diào)輸出線補償功能能使系統(tǒng)獲得較好的負(fù)載調(diào)整率；在恒流模式，輸出電流和功率可通過CS腳的RCS電阻進(jìn)行調(diào)節(jié)。該適配器驅(qū)動芯片提供了極為的智能保護(hù)功能，包含逐周期過流保護(hù)、過壓保護(hù)、開環(huán)保護(hù)、過溫保護(hù)、輸出短路保護(hù)和CS開/短路保護(hù)等。

3. 芯片特點

開關(guān)電源芯片U6117D的特性：

多模式控制（FM&AM-PSR）
內(nèi)置650V高壓MOSFET
CC&CV精度：±4%
優(yōu)化的動態(tài)控制：優(yōu)異的動態(tài)響應(yīng)能力
優(yōu)化的環(huán)路控制：工作穩(wěn)定、無異音、SR（同步整流）兼容性高，集成線電壓，電感恒流補償技術(shù)