一些集成GaN FET的芯片能夠根據(jù)輸入電壓和負(fù)載的變化自動調(diào)整工作模式，這種自適應(yīng)調(diào)整可以使芯片在不同的工作條件下都能實(shí)現(xiàn)恒功率輸出，同時保持較高的效率。深圳銀聯(lián)寶科技推出的集成GaN FET帶恒功率快充電源芯片U8733L，可以在充電器使用過程中，根據(jù)設(shè)備的需求提供合適的功率，提高充電效率！

快充電源芯片U8733L集成恒功率控制與主動降功率控制功能，在恒功率區(qū)間，通過控制輸出電流隨輸出電壓變化，實(shí)現(xiàn)恒功率功能。外置溫度檢測環(huán)境溫度，當(dāng)溫度過高主動降功率以降低系統(tǒng)溫度，保證系統(tǒng)穩(wěn)定可靠工作。

快充電源芯片U8733L集成GaN耐壓650V，封裝形式也與U8733 ESOP-7不同，采用HSOP-7封裝，具體腳位如下：

1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳

3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅(qū)動能力分檔判定管腳

4 NTC I/O 外置溫度檢測，過溫降功率和過溫保護(hù)功能。

5 GND P 芯片參考地

6 VDD P 芯片供電管腳

7 DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN FET 漏極、高壓啟動供電管腳

由于原邊功率開關(guān)寄生電容、變壓器寄生電容和副邊整流管反向恢復(fù)的原因，功率開關(guān)開通瞬間會在采樣電阻上產(chǎn)生電壓尖刺。為避免驅(qū)動信號被錯誤關(guān)閉，快充電源芯片U8733L內(nèi)部集成有前沿消隱功能。在開關(guān)管導(dǎo)通之后的TLEB_OCP(典型值 230ns)時間內(nèi)，峰值電流比較器不會關(guān)閉功率開關(guān)。在異常過流保護(hù)狀態(tài)下(AOCP)，為保證系統(tǒng)可靠性，當(dāng)CS管腳電壓達(dá)到AOCP保護(hù)閾值VCS_AOCP(典型值 -1.2V)時，前沿消隱時間進(jìn)一步降低到TLEB_AOCP(典型值 130ns)。

快充電源芯片U8733L復(fù)用CS管腳以設(shè)定系統(tǒng)最高工作頻率，芯片啟動時，U8733L通過檢測RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設(shè)定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統(tǒng)工作頻率上限。選檔判定結(jié)束后系統(tǒng)鎖定，每一次啟動都伴隨一次判定。U8733L內(nèi)部集成有軟啟動功能，在軟啟動時間TST(典型值5ms)內(nèi)，電流峰值從最小值逐步增加，避免變壓器磁芯飽和，系統(tǒng)每次重啟都會伴隨一次軟啟動過程。