準(zhǔn)諧振電路通常由一個(gè)電感（L）、一個(gè)電容（C）和一個(gè)開(kāi)關(guān)（如晶體管或MOSFET）組成。開(kāi)關(guān)的周期性開(kāi)關(guān)操作使得電路在接近諧振頻率時(shí)工作。電源管理ic U6113在同一塊晶元上同時(shí)集成了高壓功率MOSFET和控制器，是帶有準(zhǔn)諧振式的降壓型功率開(kāi)關(guān)器。

在電源管理ic U6113芯片內(nèi)部，只要當(dāng)內(nèi)部高壓MOSFET關(guān)斷時(shí)，5.8V的穩(wěn)壓器就會(huì)從芯片的Drain管腳端抽取一定的電流給VDD電容充電至5.8V；再當(dāng)內(nèi)部高壓MOSFET導(dǎo)通的時(shí)候，5.8V穩(wěn)壓器則停止工作而芯片靠VDD電容提供供電以正常運(yùn)行。由于芯片的工作電流超低，所以利用從芯片Drain管腳抽取的電流足以使其連續(xù)穩(wěn)定地工作。通常情況下，建議使用1uF的VDD電容用以濾除高頻噪聲和作為芯片供電。

為了保證系統(tǒng)工作在準(zhǔn)諧振模式下，電源管理ic U6113利用檢測(cè)流經(jīng)內(nèi)部高壓MOSFET漏極和門(mén)極間寄生的米勒電容Crss的電流實(shí)現(xiàn)電流過(guò)零點(diǎn)的檢測(cè)。當(dāng)電感電流續(xù)流到零后，電感和高壓MOSFET的輸出電容開(kāi)始諧振過(guò)程。此過(guò)程中MOSFET的Drain端電壓開(kāi)始下降 ，同時(shí)會(huì)有一由地到MOSFET Drain端的負(fù)向電流流經(jīng)Crss電容。反之，當(dāng)MOFET關(guān)斷Drain端電壓上升時(shí)，會(huì)有一正向電流流經(jīng)Crss電容。芯片利用檢測(cè)到的流經(jīng)Crss電容的負(fù)向電流實(shí)現(xiàn)了電感電流過(guò)零點(diǎn)的檢測(cè)。

CS管腳作為電源管理ic U6113的參考地，同時(shí)也用來(lái)檢測(cè)電感電流峰值。當(dāng)MOSFET導(dǎo)通時(shí)，VDD管腳和CS管腳之間的差分電壓開(kāi)始下降，當(dāng)此差分電壓大于峰值電流基準(zhǔn)500mV時(shí)MOSFET關(guān)斷。為了避免MOSFET導(dǎo)通瞬間的噪聲引起錯(cuò)誤檢測(cè)，芯片設(shè)計(jì)有典型值為500ns的前沿消隱時(shí)間，在此時(shí)間內(nèi)逐周期電流限制比較器停止工作且MOSFET不允許關(guān)斷。

電源管理ic U6113，內(nèi)部高度集成的高精度恒流控制電路和完備的保護(hù)功能使其適用于LED照明的應(yīng)用中。工作電流典型值為140uA。如此低的工作電流降低了對(duì)于VDD電容大小的要求，同時(shí)也可以幫助系統(tǒng)獲得更高的效率！