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原邊12W開關電源芯片 TB5812
QR-PSR控制提高工作效率。
±4% 的恒流恒壓精度,PSR控制模式。
系統效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機＜75mW。
原邊反饋/內置三極管,內置專利的線損電壓補償。
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護。
VDD欠壓保護，VDD過壓保護及鉗位。全國服務熱線：13316805165
| AC-DC開關電源方案選型表 | ||||||||
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產品型號 <超鏈接> |
電路拓補 | 功率管耐壓 (V) | 導通電阻(Ω) | 待機功耗 (mW) | IC大輸出功率(W) | 工作頻率(KHZ) | 典型應用 | 封裝 |
| TB5806A | 原邊反饋/內置BJT | 700 | / | ＜75 | 6W | 40--70 | 5V 1.2A | SOP-7 |
| TB5806B | 原邊反饋/內置BJT | 700 | / | ＜75 | 5W | 40--70 | 5V 1.0A | SOP-7 |
| TB5806C |
原邊反饋/內置BJT |
700 | / | ＜75 | 2.5W | 40--70 | 5V 0.5A | SOP-7 |
| TB5812A | 原邊反饋/內置BJT | 800 | / | ＜75 | 10W | 40--70 | 5V 2.0A | SOP-7 |
| TB5812B |
原邊反饋/內置BJT |
600 | / | ＜75 | 7.5W | 40--70 | 5V 1.5A | SOP-7 |
| TB6818 | 原邊反饋/內置MOS | 650 | 2.6 Ω | ＜75 | 18W | 40--70 | 12V 1.5A | SOP-8 |
| TB6806S |
原邊反饋/內置MOS |
600 | 12Ω | ＜75 | 6W | 40--70 | 5V 1.0A | SOP-8 |
| TB6806SA | 原邊反饋/內置MOS | 600 | 4.5Ω | ＜75 | 10W | 40--70 | 5V 2.0A | SOP-8 |
| TB6806D | 原邊反饋/內置MOS | 600 | 4.5Ω | ＜75 | 12W | 40--70 | 12V 1.0A | DIP-8 |
| TB6812 | 原邊反饋/內置MOS |
650 |
2.6Ω | ＜75 | 12W | 40--70 | 12V1.0A | SOP-7 |
| TB6810 | 原邊反饋/外置BJT | 外置BJT | / | ＜75 | 10W | 40--70 | 5V 2A | SOT23-5 |
| TB6825 |
原邊反饋/外驅MOS |
外驅MOSFET |
/ | ＜75 | 20W | 40--70 | 12V 1.5A | SOT23-6 |
| TB3815 | 副邊反饋/內置MOS | 650 | 4Ω | ＜75 | 15W | 65 | 12V 1A | DIP-8 |
| TB3865 | 副邊反饋/外驅MOS | 外驅MOSFET | / | ＜75 | 65W | 65 | 12V 5A | SOT23-6 |
| TB3890D | 副邊反饋/外驅MOS |
外驅MOSFET |
/ | ＜75 | 90W | 65 | 12V 5A | DIP-8 |
| TB3890S | 副邊反饋/外驅MOS | 外驅MOSFET | / | ＜75 | 90W | 65 | 12V 5A | SOP-8 |
| 其它熱銷產品 | ||||||||
TB5812 5V/2A常規測試數據（滿足六級能效）
特性
EMI數據
技術團隊，溝通
有從事電源行業20年以上經驗的應用工程師團隊；
工程師擁有一線電源大廠從事研發電源方案經歷，曾服務冠德，茂碩，航嘉等公司；
研發部門由一批海歸博士和國內高校從事電源研發芯片資深研究人員組成；
多項電源方案應用性專利，創新技術
銀聯寶強大的研發團隊，積累了眾多一線電源應用方案經驗，研發成果榮獲多項電源方案應用性專利，可為企業定制性能更優的解決方案。
一線精良設備，精密檢測
銀聯寶擁有電子負載儀、 EMI測試設備、雷擊測試儀、ESD測試儀 AC電源、功率計、示波器、高低溫測試等精良設備，為電源方案設計提供品質保障。
精細化服務，貼心周到
銀聯寶提供電源DEMO設計整套方案，包括方案認證，EMI測試調機樣機測試承認，小批量產跟線服務，批量出廠后質量反饋跟蹤。為中小電源廠提供工廠管理工藝標準流程，根據需求開發優化的電源方案定制方案，并提供整套方案調試，符合安規要求。
深圳市銀聯寶電子科技有限公司
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