- [公司新聞]PD快充芯片U8722BH高效安全實現快速充電2025年07月24日 10:39
- 快充的核心使命是實現快速充電。它專為承載更高的電流或電壓設計，旨在顯著縮短手機、平板等設備的充電時間。快充線必須內置專用芯片或通過特定物理結構，以識別并匹配各種快充協議。深圳銀聯寶PD快充芯片U8722BH是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關，特別適應于快速充電器及適配器上！ PD快充芯片U8722BH特性： ●集成700V E-GaN ●集成高壓啟動功能 ●超低啟動和工作電流，待機功耗30mW ●谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(220kHz，13
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- [公司新聞]PD快充芯片U8621+同步整流芯片多套電源方案可選2025年07月16日 14:21
- 電源芯片方案的成本優化可從芯片選型、模塊化設計、外圍元件減少等方面實現。采用高集成度電源芯片可大幅減少外圍元件數量。今天推薦的PD快充芯片U8621具有全負載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應用元件等優點，還有搭配的同步整流芯片介紹！ PD快充芯片U8621的啟動電流低至10uA,啟動電路的電阻值可以高達4M,這樣使電源系統擁有更低的損耗；芯片靜態電流低至500uA，使得電源系統設計者更加輕松應對能源之星六或者能效六級的能效標準。頻率抖動功能U86
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- [公司新聞]PD快充芯片U8732軟啟動功能保障電源電壓平穩上升2025年07月03日 15:23
- 軟啟動技術的核心在于控制芯片電源電壓的平穩上升。銀聯寶PD快充芯片U8732內部集成有軟啟動功能，在軟啟動時間TST(典型值 5ms)內，電流峰值從最小值逐步增加，避免變壓器磁芯飽和，系統每次重啟都會伴隨一次軟啟動過程。 由于原邊功率開關寄生電容、變壓器寄生電容和副邊整流管反向恢復的原因，功率開關開通瞬間會在采樣電阻上產生電壓尖刺。為避免驅動信號被錯誤關閉，PD快充芯片U8732內部集成有前沿消隱功能。在開關管導通之后的TLEB_OCP(典型值 230ns)時間內，峰值電流
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- [公司新聞]銀聯寶20W快充電源方案：220V單電壓和90-264V全電壓 通通都有！2025年07月02日 10:22
- ■220V單電壓：主控PD快充芯片U8722AH+同步整流IC U7715 PD快充芯片U8722AH集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路，驅動電壓為VDRV(典型值6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉換器的設計難點，為此U8722AH通過DEM管腳集成了驅動電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅動電流，進而調節GaN FET的開通速度，系統設計者可以獲得最優
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- [公司新聞]抗干擾、極簡外圍的恒壓恒功率PD快充芯片U86232025年06月26日 14:55
- 夏天來了，小風扇成了我們手中的避暑神器。在各大購物平臺，迷你小風扇的搜索量日益上升，成為酷熱高溫里的外出必備單品。迷你小風扇的電源配件銷量也在猛增。如果你正在找尋一顆優質的充電器芯片，建議了解下深圳銀聯寶科技的PD快充芯片U8623！ PD快充芯片U8623是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源芯片，內置0.85Ω/650V的超結硅功率MOS。U8623具有全負載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應用元件等優點。U8623在一定條件下適用于
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- [公司新聞]PD快充芯片U8766穩定的電壓和頻率優化電源設備2025年06月18日 10:11
- 芯片工作頻率指芯片內部時鐘信號的振蕩速率，是芯片性能的重要基礎。晶體管導通電阻越小、切換速度越快，信號傳輸效率越高。PD快充芯片U8766的工作頻率最高可達220kHz，可全范圍工作在準諧振模式。芯片集成峰值電流抖動功能和驅動電流配置功能，可極大的優化系統EMI性能。U8766內置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應用場景。 針對寬輸出電壓應用場合，為了滿足VDD的寬電壓應用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導致系統功耗和電路成本的增加。PD快充芯片U876
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- [公司新聞]20V單高壓帶恒功率氮化鎵PD快充芯片U8725AHE2025年06月05日 15:07
- 充電器和適配器等快充設備，需匹配高功率密度與寬電壓輸出范圍的快充芯片。深圳銀聯寶科技推出的20V單高壓帶恒功率氮化鎵PD快充芯片U8725AHE，集成高壓啟動、功率器件和保護電路，省去外部Boost/Buck電路及分立元件，縮小PCB面積；內置高壓E-GaN和Boost供電電路，支持寬電壓輸出，切莫錯過！ PD快充芯片U8725AHE主要特性： 1.集成 高壓 E-GaN 2.集成高壓啟動功能 3.超低啟動和工作電流，待機功耗 30mW 4.谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可
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- [公司新聞]集成MOS耐壓700V低啟動低功耗的PD快充芯片U8722SP2025年05月30日 14:16
- 耐壓值定義了芯片安全工作電壓上限，若輸入電壓超過該值（如動態波動或負載突變），可能引發擊穿或永久損壞，直接影響器件可靠性、性能表現及系統適配性。高耐壓芯片需更大厚度或更高電阻率的半導體材料，工藝制程要求更高。深圳銀聯寶科技的PD快充芯片U8722SP是一款集成 E-GaN 的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關，集成MOS耐壓700V，值得一試！ PD快充芯片U8722SP集成了高壓啟動功能。如圖1所示，在啟動階段，U8722SP通過芯片DRAIN腳對VDD充電，當VDD電
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- [公司新聞]氮化鎵PD快充芯片U8722DAS可減少高頻噪聲和應力沖擊2025年05月16日 11:48
- 氮化鎵PD快充芯片U8722DAS集成輕載SR應力優化功能，在輕載模式下，芯片將原邊開通速度減半（如配置為特定驅動電流檔位時），減緩開關動作的瞬態變化，從而減小次級側SR器件的電壓尖峰，通過分壓電阻設置驅動電流檔位（三檔可選），平衡EMI性能與效率。低驅動電流檔位可降低SR開關速度，減少高頻噪聲和應力沖擊。 氮化鎵PD快充芯片U8722DAS特征： ▲集成 高壓 E-GaN ▲集成高壓啟動功能 ▲超低啟動和工作電流，待機功耗 30mW ▲谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(
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- [公司新聞]氮化鎵PD快充芯片U8733集成恒功率與主動降功率多控制功能2025年05月09日 11:32
- 芯片恒功率控制，意味著無論負載變化如何，系統都能保持恒定的輸出功率，確保設備在各種工作條件下都能穩定運行。當檢測到系統溫度過高時，主動降功率功能會啟動，以降低系統溫度，防止過熱。深圳銀聯寶科技的氮化鎵PD快充芯片U8733，就集成了恒功率控制和主動降功率控制功能，一起來看看！ 氮化鎵PD快充芯片U8733集成恒功率控制與主動降功率控制功能，在恒功率區間，通過控制輸出電流隨輸出電壓變化，實現恒功率功能。外置溫度檢測環境溫度，當溫度過高主動降功率以降低系統溫度，保證系統穩定
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- [公司新聞]35W PD快充芯片U8724AHS寬幅電壓輸出超穩的2025年02月19日 10:42
- 寬幅電源的輸出電壓范圍一般在85 ~ 265VAC的標準，而普通電源的輸出電壓范圍一般在180V-240V的標準。電源的寬幅越大，輸出電壓隨負載電流變化的程度就越小，輸出電壓就越穩定。35W PD快充芯片U8724AHS內置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應用場景。 35W PD快充芯片U8724AHS的工作頻率最高可達220kHz，可全范圍工作在準諧振模式。芯片集成峰值電流抖動功能和驅動電流配置功能，可極大的優化系統EMI性能。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動
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- [公司新聞]PD快充芯片賽道優質選手——銀聯寶U88202024年12月20日 11:04
- 隨著智能手機與APP應用的飛速發展，能明顯感覺到，續航越來越不夠用了。受限于電池技術短期內難有大突破，另辟蹊徑的快速充電技術不僅逐漸成為了手機的標配，更是在其最佳伴侶“移動電源”上得到了應用。PD快充芯片U8820是一款針對離線式反激變換器的高性能準諧振電流模式PWM轉換芯片。芯片集成有高壓啟動電路，可以獲得快速啟動和超低待機的性能。芯片支持8-40V的VDD供電，方便滿足寬電壓輸出電源的要求！ PD快充芯片U8820封裝類型SOP-7，引腳特征如下：
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- [公司新聞]PD快充芯片U8608凸顯高功率密度優勢2024年12月19日 10:26
- 氮化鎵芯片具備令人矚目的高功率密度特性，這意味著它可以在相對較小的尺寸上輸出更大的功率。在當下眾多需要小型化且高功率輸出的場景中，其價值尤為凸顯。PD快充芯片U8608是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關管，可為18~65W適配器應用提供全新的解決方案。 PD快充芯片U8608采用原邊反饋控制，可節省光耦和TL431，簡化電源BOM。它合封第三代半導體GaN FET，最高工作頻率130kHz，有利于降低電源尺寸。集成谷底鎖定技術可以防止頻率抖動產生噪音。它采用CS
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- [公司新聞]PD快充芯片U8766滿足寬輸出電壓應用場合需求2024年11月15日 15:03
- 具有寬輸入電壓和輸出電壓范圍的單電池充電器集成電路IC使得能夠在具有不同輸入適配器和電池配置的各種應用中使用相同的充電器，從而幫助縮短開發時間，還能獲得更優化的充電體驗。PD快充芯片U8766最高支持220kHz開關頻率，適用于高功率密度的交直流轉換器設計。 針對寬輸出電壓應用場合，為了滿足VDD的寬電壓應用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導致系統功耗和電路成本的增加。PD快充芯片U8766集成了Boost供電技術，僅在SW管腳添加一顆貼片電感即可，在輸出電壓較低時
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- [公司新聞]PD快充芯片U8722BAS可減少非必要能效損耗2024年10月31日 10:58
- GaN技術的零反向恢復特性(因為不存在體二極管)導致二極管反向偏置電流沒有穩定時間，從而降低了死區損失，提高了效率。GaN的開關頻率更高，電流紋波更低，這樣就可以減小無源器件的尺寸，從而實現更平滑的電機驅動GaN設計。PD快充芯片U8722BAS是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現小于30mW的超低待機功耗。 ■集成E-GaN和驅動電流分檔功能 PD快充芯片U8722BAS集成高壓E-Mo
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- [公司新聞]PD快充芯片U8724AH集成實現更高效的電源系統管理2024年09月26日 10:48
- 氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業的熱門話題。在許多應用中，GaN能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統的硅金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)。深圳銀聯寶科技新推出的集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式ACDC功率開關PD快充芯片U8724AH，內置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓快速充電器、適配器的應用場景！ PD快充芯片U8724AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片采用準諧振控制方式，最高支持220kHz開關頻率，適
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- [公司新聞]外置OTP及主動降功率功能的PD快充芯片U87332024年05月21日 14:46
- 深圳銀聯寶科技最新推出的U8733，是一款30W PD GAN帶OTP保護及主動降功率功能的PD快充芯片，與之前推出的集成650V E-GaN快充芯片U8722有所不同，接下來會為小伙們詳細講解下。 PD快充芯片U8733主要特點： 1、集成 700V E-GaN 2、集成高壓啟動功能 3、超低啟動和工作電流，待機功耗 30mW 4、谷底鎖定模式 ， 最高工作頻率兩檔可調(220kHz，130kHz) 5、集成 EMI 優化技術 6、驅動電流分檔配置 7、集成恒功率功能 8、
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- [公司新聞]25W PD快充芯片新勢力——U8722BH2024年02月27日 14:48
- 對于手機廠商來說，手機快充不統一的情況下，用戶買充電頭、充電線都需要買自己的，否則就不能實現快充功能。這既是一條可靠的護城河，也是一筆可觀的收入。但迫于環保的壓力，手機快充也在朝統一的方向前進。深圳銀聯寶科技的25W PD快充芯片U8722BH經過一段時間的市場檢驗，獲得很高的評價，需要快充芯片的小伙伴有福啦！ 25W PD快充芯片U8722BH的工作頻率最高可達220kHz，可全范圍工作在準諧振模式。芯片集成峰值電流抖動功能和驅動電流可配置功能，可極大的優化系統EMI性能。
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- [公司新聞]20W理想型充電器PD快充芯片U6620S2023年12月12日 14:14
- 充電要快且安全，重量輕一點，價格便宜一點，這樣的理想型充電器，可不能少了充電器、適配器和電機驅動電源的標配——PD快充芯片U6620S！ PD快充芯片U6620S特點： 可支持斷續模式、連續模式的原邊恒流技術 ±5% 恒流精度；±1%恒壓精度 待機功耗75mW 固定 65KHz 開關頻率 綠色省電模式和打嗝模式工作 超低啟動和工作電流 集成抖頻功能優化 EMI 集成內部斜率補償的電流模式控制 集成線電壓和電感量補償的恒流技
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- [公司新聞]多快好省的PD快充芯片U6615S2023年06月14日 14:49
- 快充充電器要達到快充的效果，需要根據手機本身的快充協議選擇符合該手機快充協議并且通過認證的充電器，最簡單的方法就是選購官方的原裝充電器。如果選擇第三方的充電器，在符合手機本身快充協議以及通過認證的前提條件下，建議選擇有保障的芯片品牌，比如深圳銀聯寶科技的PD快充芯片U6615S！ PD快充芯片U6615S結合了一個專用的電流模式PWM帶4A/630V MOSFEET的模式控制器。U6615S低待機功率、低功耗、低電磁兼容性和低成本，適用于12W范圍內的離線反激變換器輸出功率
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