快充的核心使命是實(shí)現(xiàn)快速充電。它專為承載更高的電流或電壓設(shè)計(jì)，旨在顯著縮短手機(jī)、平板等設(shè)備的充電時(shí)間。快充線必須內(nèi)置專用芯片或通過(guò)特定物理結(jié)構(gòu)，以識(shí)別并匹配各種快充協(xié)議。深圳銀聯(lián)寶PD快充芯片U8722BH是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)，特別適應(yīng)于快速充電器及適配器上！

PD快充芯片U8722BH特性：

● 集成700V E-GaN

● 集成高壓?jiǎn)?dòng)功能

● 超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗<30mW

● 谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz)

● 集成EMI優(yōu)化技術(shù)

● 驅(qū)動(dòng)電流分檔配置

● 集成Boost供電電路

● 集成完備的保護(hù)功能：

VDD過(guò)壓/欠壓保(VDD OVP/UVLO)

輸出過(guò)壓保護(hù)(OVP)

輸入欠壓保護(hù)(BOP)

片內(nèi)過(guò)熱保護(hù)(OTP)

逐周期電流限制(OCP)

異常過(guò)流保護(hù)(AOCP)

短路保護(hù)(SCP)

過(guò)載保護(hù)(OLP)

過(guò)流保護(hù)(SOCP)

前沿消隱(LEB)

CS管腳開(kāi)路保護(hù)

● 封裝類型HSOP-7

PD快充芯片U8722BH集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV(典型值6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難點(diǎn)，為此U8722BH通過(guò)DEM管腳集成了驅(qū)動(dòng)電流分檔配置功能。如表所示，通過(guò)配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動(dòng)電流，進(jìn)而調(diào)節(jié)GaN FET的開(kāi)通速度，系統(tǒng)設(shè)計(jì)者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。不同驅(qū)動(dòng)電流檔位的DEM電阻推薦值參考下表（以20V為例）。

快充因承載更大功率，對(duì)質(zhì)量、做工、散熱要求極高。選擇正規(guī)廠家出品的PD快充芯片，可以有效保障充電器的效率、安全！深圳銀聯(lián)寶科技PD快充芯片通過(guò)嚴(yán)格的安全認(rèn)證，六級(jí)能效，綠色環(huán)保，值得信賴！