- 06-04 2025
- 45W單壓單C氮化鎵電源方案：主控U8722EE+同步U7116W 45W單壓單C氮化鎵電源方案推薦的主控芯片是來自深圳銀聯寶科技的氮化鎵電源芯片U8722EE，同步也是采用銀聯寶的同步整流芯片U7116W。為大家介紹下芯片的主要性能！ 氮化鎵電源芯片U8722EE特性： 集成700V E-GaN 集成高壓啟動功能 超低啟動和工作電流，待機功耗30mW 谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(220kHz，130kHz) 集成EMI優化技術 驅動電流分檔配置 集成 Boost 供電電路 集成完備的保護功能： VDD過壓/欠壓保護 (VDD OV 查看詳情
- 06-03 2025
- 內置0.85/650V的超結硅電機驅動器電源芯片U8623 ■功能描述 電機驅動器電源芯片U8623是一款峰值電流控制方式的PWM電源管理芯片，適用于離線型的反激拓撲開關變換器。U8623內置合封一顆0.85Ω/650V的高壓MOS。芯片設計有完善的多種保護功能和自適應選擇工作模式，使得適用U8623的電源系統具有全負載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應用元件。 ■系統啟動和靜態電流 電機驅動器電源芯片U8623的啟動電流低至10uA，啟動電路的電阻值可以高達4M，這樣使電源系統擁有更低的損耗；芯片靜態電流 查看詳情
- 05-30 2025
- 集成MOS耐壓700V低啟動低功耗的PD快充芯片U8722SP 耐壓值定義了芯片安全工作電壓上限，若輸入電壓超過該值（如動態波動或負載突變），可能引發擊穿或永久損壞，直接影響器件可靠性、性能表現及系統適配性。高耐壓芯片需更大厚度或更高電阻率的半導體材料，工藝制程要求更高。深圳銀聯寶科技的PD快充芯片U8722SP是一款集成 E-GaN 的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關，集成MOS耐壓700V，值得一試！ PD快充芯片U8722SP集成了高壓啟動功能。如圖1所示，在啟動階段，U8722SP通過芯片DRAIN腳對VDD充電，當VDD電 查看詳情
- 05-29 2025
- 12v3a原邊反饋快充電源ic U8609節省光耦和TL431 GaN FET支持MHz級開關頻率，顯著高于傳統硅基器件，通過減小無源元件體積實現系統小型化，使開關損耗降低20%-30%。深圳銀聯寶快充電源icU8609合封第三代半導體GaN FET，最高工作頻率130kHz，采用原邊反饋控制，可節省光耦和TL431，簡化電源BOM，有利于降低電源尺寸！ 快充電源icU8609是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關管，可為18~65W適配器應用提供全新的解決方案。U8609集成谷底鎖定技術可以防止頻率抖動產生噪音。它采用CS 查看詳情
- 05-29 2025
- ASOP7-T4封裝E-GaN快充電源芯片U8724AHS 芯片的腳位是芯片與外部電路進行連接的橋梁。通過引腳，芯片可以與電路板上的其他組件進行連接，構成完整的電路。引腳用于為芯片提供電源和接地，還可以用于控制和指示芯片的工作狀態。今天，就請跟著銀聯寶小編的視角，一起看看關于快充電源芯片U8724AHS引腳的事！ 快充電源芯片U8724AHS封裝形式ASOP7-T4，引腳特征如下： 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅動能力分檔判定管腳 查看詳情
- 05-28 2025
- 22.5W PD快充電源芯片應用方案之U8621+U7610B 受限于設備本身的體積和當下電池技術的瓶頸，電池容量無法顯著突破，快速“補電”成為了眼下解決電量焦慮的最切實可行的解決辦法。深圳銀聯寶今天推薦的是22.5W快充電源芯片應用方案之——U8621+U7610B！ 快充電源芯片U8621是一款峰值電流控制方式的PWM電源管理芯片，適用于離線型的反激拓撲開關變換器。U8621內置合封一顆1.9Ω/630V的高壓MOS。芯片設計有完善的多種保護功能和自適應選擇工作模式，使得適用U8621 查看詳情
- 05-27 2025
- 耐壓650V氮化鎵快充芯片U8733L優化能源利用效率 恒功率控制方式通過精確的控制策略和先進的電子技術，實現了在各種工況下輸出功率的恒定。其基本原理是通過調節系統的輸入或輸出參數（如電壓、電流等），使得系統在負載變化時能夠維持輸出功率不變。銀聯寶氮化鎵快充芯片U8733L集成恒功率控制與主動降功率控制功能，在恒功率區間，通過控制輸出電流隨輸出電壓變化，實現恒功率功能。 氮化鎵快充芯片U8733L特征： 集成 700V E-GaN 集成高壓啟動功能 超低啟動和工作電流，待機功耗 30mW 谷底鎖定模式，最 高 工 作 頻 率 兩 查看詳情
- 05-26 2025
- 氮化鎵快充電源ic U8765全負載功率范圍內效率優化 QR模式一般工作在變頻模式下，根據負載大小改變變換器的頻率。當負載變輕時，變換器的頻率會增加，以適應輕載條件下的高效運行。QR模式通過檢測原邊電流和電壓的變化，實現開關管的最佳開通時機，從而減少開關損耗。氮化鎵快充電源icU8765采用峰值電流控制模式，可以自適應的工作在QR和降頻工作模式，從而實現全負載功率范圍內的效率優化！ 在滿載和重載工況下，系統工作在QR工作模式，可以大幅降低系統的開關損耗。氮化鎵快充電源icU8765根據FB電壓值調節谷底個數，同時為了避免系統在臨界 查看詳情
- 05-23 2025
- 同步整流芯片U7106在氮化鎵電源方案U8766中的應用 氮化鎵器件開關頻率升級，同步整流芯片需具備高速響應能力，確保高頻工況下精準控制同步整流管的開通與關斷時。同步整流芯片U7106應用在氮化鎵電源芯片U8766中可顯著減少功率損耗，提升轉換效率！ 同步整流芯片U7106是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開關，可以在GaN系統中替代肖特基整流二極管以提高系統效率。U7106內置有VDD高壓供電模塊，無需輔助繞組供電可穩定工作，系統上支持High Side和Low Side配置，兼顧了系統性能和成本。 同步整流芯片U7106特性 查看詳情
- 05-22 2025
- 65W集成EMI優化技術的E-GaN電源芯片U8722FE E-GaN電源芯片U8722FE是U8722X系列最新增加的型號，ID(A)(TJ=125℃)4.0，耐壓700V，推薦功率60W，采用的是ESOP-7封裝，具體腳位如下： 1 CSI/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB P 系統反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅動能力分檔判定管腳 4 VDD P 芯片供電管腳 5 SW P Boost 電路內置 MOS 的漏極管腳 6,7 GND P 芯片參考地 8 DRAIN P 內置高壓 GaN 查看詳情
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