- 08-01 2025
- 超結硅功率MOS電源管理ic U8623+同步整流ic U7610A方案 在相同650V耐壓下，超結MOS的導通電阻（85mΩ）僅為傳統器件（200mΩ）的約42%，開關頻率上限提升至100kHz（傳統為50kHz）。超結MOS相較于傳統MOSFET，效率提升顯著。今天推薦的電源方案，是來自深圳銀聯寶科技內置0.85Ω/650V的超結硅功率MOS電源管理icU8623+同步整流icU7610A！ 電源管理icU8623是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源管理芯片，內置0.85Ω/650V的超結硅功率MOS。U8623具有全負載高效率、 查看詳情
- 07-31 2025
- 同步整流芯片U760X系列包含U7606、U7608兩個型號 開關電源本質上是一種噪聲源，雖然事件持續時間很短，但如果不加以適當處理，很可能會誤觸發某些控制電路保護并引發不穩定行為。設計人員想出了在一定時間內關閉電流檢測比較器，直到尖峰消失，這個方法就是集成電路中引入前沿消隱(LEB)電路。深圳銀聯寶科技新推出的同步整流芯片U760X系列，也對LEB做了詳細介紹，一起看看吧！ 同步整流芯片U760XLEB時間確認 電源系統設計需要保證最小續流時間Tdem_min大于LEB時間，否則會產生電流倒灌并有可能引起炸機。確保Tdem_min12 查看詳情
- 07-30 2025
- PD65W氮化鎵快充電源應用高轉換效率方案：U8765+U7110W 設計大電流，高開關頻率同步降壓電路時，要想設計一個穩定可靠的系統，PCB布局顯得尤為重要。同步整流icU7110W設計同步整流電路時建議參考下圖的內容。圖為PCB布局設計參考，包含U7110W、變壓器副邊引腳和輸出濾波電容等。 1. 副邊主功率回路Loop1的面積盡可能小。 2. VDD電容推薦使用1μF的貼片陶瓷電容，盡量緊靠IC，Loop2的面積盡可能小。 3. HV到Drain建議串聯30~200Ω的電阻，推薦典型值100Ω。HV檢測點位置對CCM應力有影響，HV檢測 查看詳情
- 07-29 2025
- PD20W單壓過認證快充電源方案：U8722AH+U7714A 單壓過認證電源指單路電壓輸出（如12V、24V等）且?通過安全認證（如CE、UL、3C）的電源產品，可提供單一穩定輸出電壓。推薦一款具備多重安全防護功能的方案——PD20W單壓過認證快充電源方案：快充電源芯片U8722AH+同步整流芯片U7714A，結構精簡，成本優勢顯著！ 快充電源芯片U8722AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現小于30mW的超低待 查看詳情
- 07-28 2025
- 35W快充電源ic U8722DAS讓每一次充電都安心可靠 深圳銀聯寶科技的35W快充電源icU8722DAS，安全性能至上，內嵌幾大智能防護機制：過壓保護、過流保護、過功率保護、前沿消隱、短路保護及過溫保護，全方位保障用戶充電過程的安全，讓每一次充電都安心可靠！ 35W快充電源icU8722DAS采用峰值電流控制模式，可以自適應的工作在QR和降頻工作模式，從而實現全負載功率范圍內的效率優化。在滿載和重載工況下，系統工作在QR工作模式，可以大幅降低系統的開關損耗。芯片根據FB電壓值調節谷底個數，同時為了避免系統在臨界負載處的FB電壓波 查看詳情
- 07-25 2025
- E-GaN充電器芯片U8765快速充電 暢玩無憂 電競手機是游戲玩家心中的“戰場利器”。與普通手機相比，電競手機極致的性能和炫酷燈效，都讓人愛不釋手。盡管有的廠商匹配了雙腰電池，但對電量長續航要求更為嚴苛的電競手機，更需要一個快速充電器來幫忙。搭載了E-GaN充電器芯片的充電器，正符合此需求！ 深圳銀聯寶E-GaN充電器芯片U8765，是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現小于30mW的超低待機功耗。U8765的工 查看詳情
- 07-24 2025
- 氮化鎵電源ic U8731封裝形式HSOP-7自動保護 芯片的腳位是指芯片與電路板或其他芯片之間進行連接的引腳。引腳可以傳輸數字信號和模擬信號，還用于為芯片提供電源和接地。今天重點介紹的是深圳銀聯寶氮化鎵電源icU8731的腳位特征！ 氮化鎵電源ic U8731復用CS管腳以設定系統最高工作頻率。芯片啟動時，U8731通過檢測RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統工作頻率上限。選檔判定結束后系統鎖定，每一次啟動都伴隨一次判定。 氮化鎵電源icU8731封裝形式HSOP-7，引腳說明： 查看詳情
- 07-24 2025
- PD快充芯片U8722BH高效安全實現快速充電 快充的核心使命是實現快速充電。它專為承載更高的電流或電壓設計，旨在顯著縮短手機、平板等設備的充電時間。快充線必須內置專用芯片或通過特定物理結構，以識別并匹配各種快充協議。深圳銀聯寶PD快充芯片U8722BH是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關，特別適應于快速充電器及適配器上！ PD快充芯片U8722BH特性： ●集成700V E-GaN ●集成高壓啟動功能 ●超低啟動和工作電流，待機功耗30mW ●谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(220kHz，13 查看詳情
- 07-23 2025
- PD25W 100Vac-264Vac非標款氮化鎵電源方案U8723AH+U7612A 輸入規格：100V-264V 50/60Hz 輸出規格：C 口 PD25W：5V3A / 9V2.78A / 12V2.08A 芯片型號：主控-U8723AH 同步-U7612A 協議-HUSB338E 氮化鎵電源芯片U8723AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現小于30mW的超低待機功耗。U8723AH的工作頻率最高可達220kHz，可全范圍工作在準諧振模式。芯片集成峰值電流抖動功 查看詳情
- 07-22 2025
- 手機充電器ic U65133兼容性強成本低 氮化鎵快充的優勢無需多言，市場需求足可以證明一切。也有小伙伴一直在關注普通充電器這塊，主要是因為普充兼容性強，幾乎所有設備（包括老舊手機、藍牙耳機等）均可安全使用，無協議匹配問題，且成本遠低于快充方案！今天推薦銀聯寶手機充電器icU65133，無需額外散熱設計，高性能、低成本！ 在芯片開始工作之前，手機充電器icU65133僅消耗典型值為1.1uA的啟動電流，超低啟動電流可以幫助增加啟動電阻阻值以達到降低待機功耗的目的。當VDD電壓超過開啟電壓(典型值10V)，U651 查看詳情
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