- [公司新聞]氮化鎵PD快充ic U8608輸入過欠壓保護(hù)電路安全運(yùn)行2025年05月19日 11:36
- 過壓保護(hù)和欠壓保護(hù)是維護(hù)芯片電路安全運(yùn)行的關(guān)鍵功能。有些芯片會提供一個欠壓保護(hù)引腳，當(dāng)欠壓保護(hù)被觸發(fā)時，該引腳會產(chǎn)生一個信號。通過檢測該引腳的狀態(tài)，可以判斷芯片是否處于欠壓保護(hù)狀態(tài)。深圳銀聯(lián)寶氮化鎵PD快充icU8608輸入過欠壓保護(hù) (Line OVP/BOP)，先來看看它的引腳。 PD快充icU8608引腳特征： 1 NTC I/O 外置過溫檢測管腳 2 COMP I/O 運(yùn)放輸出，在該 pin 腳和 GND 之間連接阻容網(wǎng)絡(luò)用于調(diào)節(jié)環(huán)路。 3 FB I/O 輸出反饋、
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- [公司新聞]氮化鎵PD快充芯片U8722DAS可減少高頻噪聲和應(yīng)力沖擊2025年05月16日 11:48
- 氮化鎵PD快充芯片U8722DAS集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能，在輕載模式下，芯片將原邊開通速度減半（如配置為特定驅(qū)動電流檔位時），減緩開關(guān)動作的瞬態(tài)變化，從而減小次級側(cè)SR器件的電壓尖峰，通過分壓電阻設(shè)置驅(qū)動電流檔位（三檔可選），平衡EMI性能與效率。低驅(qū)動電流檔位可降低SR開關(guān)速度，減少高頻噪聲和應(yīng)力沖擊。 氮化鎵PD快充芯片U8722DAS特征： ▲集成 高壓 E-GaN ▲集成高壓啟動功能 ▲超低啟動和工作電流，待機(jī)功耗 30mW ▲谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(diào)(
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- [公司新聞]45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U72692025年05月15日 10:56
- 氮化鎵電源電路由于減少了元件數(shù)量和功率轉(zhuǎn)換器占用的空間而更具吸引力。深圳銀聯(lián)寶科技作為E-GaN快充電源方案制造商，大量投入工程研發(fā)以應(yīng)對各類技術(shù)挑戰(zhàn)，為市場提供了各種功率級和多種功能的集成解決方案，今天推薦的是銀聯(lián)寶45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269！ 快充電源芯片U8726AHE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路，驅(qū)動電壓為VDRV (典型值6.4V)。E
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- [公司新聞]12V2A/3A氮化鎵電源方案U8607/U8609+同步整流芯片U76132025年05月13日 10:54
- 深圳銀聯(lián)寶科技最新上市的氮化鎵電源方案：U8607/U8609+同步整流芯片U7613，推薦輸出功率12V2A、12V3A，非標(biāo)共板，方案成熟，性能可靠，可滿足更高性能要求、更低成本需求！ 氮化鎵電源芯片U8607/U8609采用原邊反饋控制，可節(jié)省光耦和TL431，簡化電源BOM。它合封第三代半導(dǎo)體GaN FET，最高工作頻率130kHz，有利于降低電源尺寸。特征如下： *原邊反饋控制，無需光耦和 TL431 *集成 700V GaN FET 驅(qū)動 *集成高壓啟動功能 *
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- [公司新聞]33W全負(fù)載高效率超結(jié)硅電源管理方案：U8623+U7612B2025年05月12日 14:49
- 由于芯片結(jié)構(gòu)的改變，超結(jié)MOS的結(jié)電容比傳統(tǒng)MOS有很大的降低，超結(jié)MOS具有極低的內(nèi)阻，在相同的芯片面積下，超結(jié)MOS芯片的內(nèi)阻甚至只有傳統(tǒng)MOS的一半以上。較低的內(nèi)阻，能降低損耗，減少發(fā)熱。今天深圳銀聯(lián)寶科技帶來的是33W全負(fù)載高效率超結(jié)硅電源管理方案：U8623+U7612B，可顯著提升產(chǎn)品的易用性和效率！ 電源管理芯片U8623是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM 電源管理芯片，內(nèi)置0.85Ω/650V的超結(jié)硅功率 MOS。U8623具有全負(fù)載高效率、低空載
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- [公司新聞]氮化鎵PD快充芯片U8733集成恒功率與主動降功率多控制功能2025年05月09日 11:32
- 芯片恒功率控制，意味著無論負(fù)載變化如何，系統(tǒng)都能保持恒定的輸出功率，確保設(shè)備在各種工作條件下都能穩(wěn)定運(yùn)行。當(dāng)檢測到系統(tǒng)溫度過高時，主動降功率功能會啟動，以降低系統(tǒng)溫度，防止過熱。深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵PD快充芯片U8733，就集成了恒功率控制和主動降功率控制功能，一起來看看！ 氮化鎵PD快充芯片U8733集成恒功率控制與主動降功率控制功能，在恒功率區(qū)間，通過控制輸出電流隨輸出電壓變化，實(shí)現(xiàn)恒功率功能。外置溫度檢測環(huán)境溫度，當(dāng)溫度過高主動降功率以降低系統(tǒng)溫度，保證系統(tǒng)穩(wěn)定
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- [公司新聞]ESOP-10W封裝輸入欠壓保護(hù)氮化鎵快充芯片U87662025年05月08日 15:14
- 在65W氮化鎵快充設(shè)計(jì)中，輸入欠壓保護(hù)與過壓保護(hù)協(xié)同工作，保障充電頭在電網(wǎng)波動時仍能穩(wěn)定輸出，并避免因輸入異常導(dǎo)致次級電路損壞。今天介紹的65W全壓氮化鎵快充芯片U8766，輸入欠壓保護(hù)(BOP)，采用ESOP-10W封裝！ 氮化鎵快充芯片U8766通過HV管腳對母線電壓進(jìn)行采樣，當(dāng)母線電壓值小于BOP保護(hù)閾值VBOP (典型值 100V)時，芯片內(nèi)部的BOP延遲計(jì)時使能，計(jì)時時間為TBOP_DELAY(典型值 80ms)，計(jì)時結(jié)束后觸發(fā)BOP保護(hù)。如果母線電壓超過BOP恢復(fù)
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- [公司新聞]30~65W快充應(yīng)用CCM同步整流芯片U71062025年05月08日 09:31
- 同步整流芯片U7106采用PDFN5*6封裝，是一款高頻率、高性能、CCM 同步整流開關(guān)，典型應(yīng)用于30~65W快充，無需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。 同步整流芯片U7106電路設(shè)計(jì)參考如下： 1. 副邊主功率回路 Loop1 的面積盡可能小。 2. VDD 電容推薦使用 1μF 的貼片陶瓷電容，盡量緊靠 IC，Loop2的面積盡可能小。 3. HV 到Drain建議串聯(lián)30~200Ω的電阻，推薦典型值100Ω。HV連接到D
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- [公司新聞]PD 20W氮化鎵單電壓應(yīng)用方案：U8722AH+U77152025年05月07日 14:23
- 深圳銀聯(lián)寶科技推出的PD20W氮化鎵單電壓應(yīng)用方案，主控芯片使用的是氮化鎵快充芯片U8722AH，同步整流芯片U7715，協(xié)議338E。輸入規(guī)格：180V-264V 50Hz，輸出規(guī)格：C口，PD20W：5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。 氮化鎵快充芯片U8722AH特點(diǎn)： 1.集成 700V E-GaN 2.集成高壓啟動功能 3.超低啟動和工作電流，待機(jī)功耗 30mW 4.谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz) 5.集
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- [公司新聞]帶恒功率集成高壓E-GaN氮化鎵電源IC U8723AHS2025年05月06日 14:32
- 恒功率電源芯片具有穩(wěn)壓、高效、過載保護(hù)等特性，適用于一些功率要求嚴(yán)格的應(yīng)用場景，如充電器、LED驅(qū)動器、電動工具等。今天推薦的深圳銀聯(lián)寶帶恒功率集成高壓E-GaN氮化鎵電源ICU8723AHS，不僅可以提高電路的穩(wěn)定性和可靠性，同時也可以提高能源利用效率，使優(yōu)勢發(fā)揮到最大！ 針對寬輸出電壓應(yīng)用場合，為了滿足VDD的寬電壓應(yīng)用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。氮化鎵電源ICU8723AHS集成了Boost供電技術(shù)，僅在SW管腳添加一顆貼片電
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- [公司新聞]SOP-7封裝20W氮化鎵快充芯片U8722SP來咯！2025年04月29日 11:14
- 深圳銀聯(lián)寶氮化鎵系列又雙叒叕上“芯”料啦——U8722SP！氮化鎵快充芯片U8722SP采用SOP-7封裝，推薦最大輸出功率20W，集成MOS耐壓700V，典型應(yīng)用于快速充電器和適配器上，腳位如下： 1 GND P 芯片參考地 2 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 3 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 4 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅(qū)動能力分檔判定管腳 5 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極
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- [公司新聞]氮化鎵快充芯片U8608集成多維度安全防護(hù)機(jī)制2025年04月28日 14:25
- 深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8608具有多重故障保護(hù)機(jī)制，通過集成多維度安全防護(hù)，防止設(shè)備出現(xiàn)過充電、過放電、過電流等問題，在電子設(shè)備中構(gòu)建起全方位的安全屏障，今天具體分析一下！ ■輸入過欠壓保護(hù) (Line OVP/BOP) 氮化鎵快充芯片U8608通過DRAIN管腳對母線電壓進(jìn)行采樣，當(dāng)母線電壓值小于Line BOP 保護(hù)閾值VBOP (典型值70Vac)時，芯片內(nèi)部的Line BOP延遲計(jì)時使能，計(jì)時時間為TBOP_DELAY(典型值 80ms)，計(jì)時結(jié)束后觸發(fā)Lin
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- [公司新聞]耐壓700V氮化鎵電源ic U8765散熱性能優(yōu)越2025年04月27日 14:07
- 氮化鎵憑借高頻高效特性，具備了體積小、功率高、發(fā)熱低等優(yōu)勢，但小型化雖好，散熱才是硬道理，選氮化鎵電源ic得看準(zhǔn)散熱設(shè)計(jì)。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性能優(yōu)越、耐壓700V的氮化鎵電源icU8765！ 當(dāng)?shù)夒娫磇cU8765結(jié)溫超過TSD (典型值150℃)時，芯片停止工作，進(jìn)入過熱保護(hù)。當(dāng)芯片溫度下降至TRC (典型值 120℃)，芯片重新啟動。U8765封裝類型ESOP-10W，引腳分析如下： 1 HV P 高壓啟動管腳 2 DRAIN P GaN FET 漏極引腳
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- [公司新聞]20V單高壓45W氮化鎵電源芯片U8726AHE2025年04月25日 14:31
- EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難點(diǎn)，為此氮化鎵電源芯片U8726AHE通過DEM管腳集成了驅(qū)動電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動電流，進(jìn)而調(diào)節(jié)GaN FET的開通速度，系統(tǒng)設(shè)計(jì)者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。 氮化鎵電源芯片U8726AHE引腳： 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅(qū)動能力分檔判定管腳 4 VDD P 芯片供電管
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- [公司新聞]25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AH2025年04月24日 10:17
- 芯片內(nèi)置Boost電路將功率開關(guān)器件（如MOSFET）、驅(qū)動電路、反饋網(wǎng)絡(luò)等集成于單一封裝，省去分立元件布局，顯著降低PCB面積需求。深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8723AH內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場景。U8723AH集成峰值電流抖動功能和驅(qū)動電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能！ 氮化鎵快充芯片U8723AH特性： ●集成 高壓 E-GaN ●集成高壓啟動功能 ●超低啟動和工作電流，待機(jī)功耗 30mW ●谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(diào)(2
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- [公司新聞]700V/165mΩ HV高壓啟動頻率可調(diào)氮化鎵快充芯片U87662025年04月23日 14:32
- 700V/165mΩ HV高壓啟動頻率可調(diào)氮化鎵快充芯片U8766，推薦功率為65W，代表機(jī)型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。 氮化鎵快充芯片U8766集成了高壓啟動功能。在啟動階段，U8766通過芯片HV腳對VDD充電，當(dāng)VDD電壓達(dá)到VVDD_ON(典型值 12V)時，高壓供電關(guān)閉。輸出建立后，芯片供電由輔助繞組提供。在啟動過程中，當(dāng)VDD低于3V時，高壓供電電路對VDD電容的充電電流為IHV1 (典型值 0.5mA)，小電流充電，可以
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- [公司新聞]銀聯(lián)寶氮化鎵電源芯片U8733L與U8733差異化分析2025年04月22日 11:25
- 氮化鎵電源芯片U8733L與U8733同屬U8733X系列，都是外置OTP，自帶降功率（限12V最大輸出），集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。但參數(shù)性能略有不同，今天就為各位小伙伴詳細(xì)拆解一下兩者不同之處！ ▲U8733L Vds 耐壓650V，Rdson內(nèi)阻0.8R，ID電流2.5A，推薦功率33W。 ▲U8733 Vds 耐壓700V，Rdson內(nèi)阻0.47--0.6R，ID電流3.3A，推薦功率33W-45W ▲封裝
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- [公司新聞]700V/365mΩ高壓啟動GaN快充芯片U86092025年04月21日 14:31
- GaN快充芯片U8609最高工作頻率130kHz，700V/365mΩ，采用DASOP-7封裝，主推12V3A，合封第三代半導(dǎo)體GaN FET，有利于降低電源尺寸。U8609采用CS Jitter技術(shù)，通過調(diào)制峰值電流參考值實(shí)現(xiàn)頻率抖動，以優(yōu)化系統(tǒng)EMI。 GaN快充芯片U8609復(fù)用CS管腳以設(shè)定系統(tǒng)最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。芯片啟動時，U8609通過檢測RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設(shè)定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統(tǒng)工作頻率上限。選檔判定結(jié)束
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- [公司新聞]12V單高壓20W-25W氮化鎵快充芯片U8722BAS2025年04月18日 14:39
- 氮化鎵快充芯片U8722BAS復(fù)用CS管腳以設(shè)定系統(tǒng)最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。 芯片啟動時，U8722BAS通過檢測RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設(shè)定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統(tǒng)工作頻率上限。選檔判定結(jié)束后系統(tǒng)鎖定，每一次啟動都伴隨一次判定。 氮化鎵快充芯片U8722BAS封裝類型 ASOP7-T4，引腳名稱如下： 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢
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- [公司新聞]電源管理芯片U3205A擁有良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率2025年04月17日 10:55
- 銀聯(lián)寶電源管理芯片U3205A通過實(shí)時監(jiān)測負(fù)載狀態(tài)，自動調(diào)節(jié)MOSFET的開關(guān)頻率，輕載或空載時降低頻率（如待機(jī)狀態(tài)），減少開關(guān)損耗，典型待機(jī)功耗可低于50mW；重載時提升頻率以維持輸出穩(wěn)定性，確保系統(tǒng)效率最優(yōu)！ ■高壓啟動電路和超低待機(jī)功耗 (50mW) 電源管理芯片U3205A內(nèi)置有一個500V高壓啟動單元。在開機(jī)過程中該啟動單元開始工作，從Drain端取電并通過高壓電流源對VDD電容進(jìn)行充電，如“功能模塊”中所述。當(dāng)VDD電壓上升至
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