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65W系列 19V3.42A能效六級(jí)方案
優(yōu)化降頻技術(shù)提率更多 +
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓?jiǎn)?dòng)失敗
效率滿(mǎn)足 六級(jí)能效
內(nèi)置4mS軟啟動(dòng), 管腳浮空保護(hù)
無(wú)異音OCP補(bǔ)償?shù)蛪褐剌d異音
OLP時(shí)間可編程
VDD欠壓保護(hù)(ULVO), 過(guò)壓保護(hù)及鉗位
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償. 逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
-
60W系列 12V5A能效六級(jí)方案
更多 +
±5％恒壓恒流精度, 快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)控制
待機(jī)功耗小于75mW
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化
啟動(dòng)電流
前沿消隱
內(nèi)置斜率補(bǔ)償
逐周期電流限制
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48W系列 48W能效六級(jí)方案
提高系統(tǒng)效率，異音。更多 +
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI。
系統(tǒng)效率滿(mǎn)足 ‘DoE六級(jí)能效’ Tier2 要求。
內(nèi)置高低壓過(guò)流補(bǔ)償。
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)。
待機(jī)功耗(≤75mW)
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10W系列5V2A能效六級(jí)方案
更多 +
效率滿(mǎn)足六級(jí)能效要求
內(nèi)置650V 功率MOSFET
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)
零電壓帶載啟動(dòng)減小OCP恢復(fù)間隙
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
±5％恒壓恒流精度
內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護(hù)
-
5W系列 5V1A能效六級(jí)方案
QR-PSR控制提高工作效率更多 +
內(nèi)置700V 功率三極管
效率滿(mǎn)足 ‘DoE六級(jí)能效’，待機(jī)＜75mW
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
內(nèi)置快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)控制，無(wú)異音工作
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護(hù)（UVLO）,過(guò)壓保護(hù)及鉗位
OTP過(guò)溫保護(hù)
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5V1.5A能效六級(jí)方案
QR-PSR控制提高工作效率。更多 +
±4% 的恒流恒壓精度,PSR控制模式。
系統(tǒng)效率滿(mǎn)足 ‘DoE六級(jí)能效’ Tier2 要求,待機(jī)＜70mW。
內(nèi)置專(zhuān)利的線損電壓補(bǔ)償。
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)。
VDD欠壓保護(hù)，VDD過(guò)壓保護(hù)及鉗位。
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10W系列 5V2A能效六級(jí)方案
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制。更多 +
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI。
系統(tǒng)效率滿(mǎn)足 ‘DoE六級(jí)能效’ Tier2 要求。
內(nèi)置高低壓過(guò)流補(bǔ)償。
內(nèi)置快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)控制，無(wú)異音工作。
輸出過(guò)壓保護(hù)，VDD欠壓保護(hù)，VDD過(guò)壓保護(hù)及鉗位。
QR-PSR控制提高工作效率。
內(nèi)置600V 功率MOSFET
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12W系列 12V1A能效六級(jí)方案
專(zhuān)利QR控制，提高系統(tǒng)效率，異音。更多 +
效率滿(mǎn)足六級(jí)能效要求。
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI。
內(nèi)置高低壓過(guò)流補(bǔ)償。
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)。
內(nèi)置專(zhuān)利的線損補(bǔ)償,提高量產(chǎn)精度。
內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護(hù)
支持高50V 輸出電壓
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5W系列 5V1A能效六級(jí)方案
QR-PSR控制提高工作效率更多 +
內(nèi)置700V 功率三極管
效率滿(mǎn)足 ‘DoE六級(jí)能效’，待機(jī)＜75mW
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
內(nèi)置快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)控制，無(wú)異音工作
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護(hù)（UVLO）,過(guò)壓保護(hù)及鉗位
OTP過(guò)溫保護(hù)
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12W系列 5V2.4A能效六級(jí)方案
更多 +
效率滿(mǎn)足六級(jí)能效要求
內(nèi)置650V 功率MOSFET
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)
零電壓帶載啟動(dòng)減小OCP恢復(fù)間隙
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
±5％恒壓恒流精度
內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護(hù)
- [公司新聞]超結(jié)硅功率MOS電源管理ic U8623+同步整流ic U7610A方案2025年08月01日 11:21
- 在相同650V耐壓下，超結(jié)MOS的導(dǎo)通電阻（85mΩ）僅為傳統(tǒng)器件（200mΩ）的約42%，開(kāi)關(guān)頻率上限提升至100kHz（傳統(tǒng)為50kHz）。超結(jié)MOS相較于傳統(tǒng)MOSFET，效率提升顯著。今天推薦的電源方案，是來(lái)自深圳銀聯(lián)寶科技內(nèi)置0.85Ω/650V的超結(jié)硅功率MOS電源管理icU8623+同步整流icU7610A！ 電源管理icU8623是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源管理芯片，內(nèi)置0.85Ω/650V的超結(jié)硅功率MOS。U8623具有全負(fù)載高效率、
- 閱讀（2） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]同步整流芯片U760X系列包含U7606、U7608兩個(gè)型號(hào)2025年07月31日 14:50
- 開(kāi)關(guān)電源本質(zhì)上是一種噪聲源，雖然事件持續(xù)時(shí)間很短，但如果不加以適當(dāng)處理，很可能會(huì)誤觸發(fā)某些控制電路保護(hù)并引發(fā)不穩(wěn)定行為。設(shè)計(jì)人員想出了在一定時(shí)間內(nèi)關(guān)閉電流檢測(cè)比較器，直到尖峰消失，這個(gè)方法就是集成電路中引入前沿消隱(LEB)電路。深圳銀聯(lián)寶科技新推出的同步整流芯片U760X系列，也對(duì)LEB做了詳細(xì)介紹，一起看看吧！ 同步整流芯片U760XLEB時(shí)間確認(rèn) 電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)需要保證最小續(xù)流時(shí)間Tdem_min大于LEB時(shí)間，否則會(huì)產(chǎn)生電流倒灌并有可能引起炸機(jī)。確保Tdem_min12
- 閱讀（5） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]PD65W氮化鎵快充電源應(yīng)用高轉(zhuǎn)換效率方案：U8765+U7110W2025年07月30日 14:27
- 設(shè)計(jì)大電流，高開(kāi)關(guān)頻率同步降壓電路時(shí)，要想設(shè)計(jì)一個(gè)穩(wěn)定可靠的系統(tǒng)，PCB布局顯得尤為重要。同步整流icU7110W設(shè)計(jì)同步整流電路時(shí)建議參考下圖的內(nèi)容。圖為PCB布局設(shè)計(jì)參考，包含U7110W、變壓器副邊引腳和輸出濾波電容等。 1. 副邊主功率回路Loop1的面積盡可能小。 2. VDD電容推薦使用1μF的貼片陶瓷電容，盡量緊靠IC，Loop2的面積盡可能小。 3. HV到Drain建議串聯(lián)30~200Ω的電阻，推薦典型值100Ω。HV檢測(cè)點(diǎn)位置對(duì)CCM應(yīng)力有影響，HV檢測(cè)
- 閱讀（10） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]PD20W單壓過(guò)認(rèn)證快充電源方案：U8722AH+U7714A2025年07月29日 14:58
- 單壓過(guò)認(rèn)證電源指單路電壓輸出（如12V、24V等）且?通過(guò)安全認(rèn)證（如CE、UL、3C）的電源產(chǎn)品，可提供單一穩(wěn)定輸出電壓。推薦一款具備多重安全防護(hù)功能的方案——PD20W單壓過(guò)認(rèn)證快充電源方案：快充電源芯片U8722AH+同步整流芯片U7714A，結(jié)構(gòu)精簡(jiǎn)，成本優(yōu)勢(shì)顯著！ 快充電源芯片U8722AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待
- 閱讀（7） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]35W快充電源ic U8722DAS讓每一次充電都安心可靠2025年07月28日 15:12
- 深圳銀聯(lián)寶科技的35W快充電源icU8722DAS，安全性能至上，內(nèi)嵌幾大智能防護(hù)機(jī)制：過(guò)壓保護(hù)、過(guò)流保護(hù)、過(guò)功率保護(hù)、前沿消隱、短路保護(hù)及過(guò)溫保護(hù)，全方位保障用戶(hù)充電過(guò)程的安全，讓每一次充電都安心可靠！ 35W快充電源icU8722DAS采用峰值電流控制模式，可以自適應(yīng)的工作在QR和降頻工作模式，從而實(shí)現(xiàn)全負(fù)載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化。在滿(mǎn)載和重載工況下，系統(tǒng)工作在QR工作模式，可以大幅降低系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)損耗。芯片根據(jù)FB電壓值調(diào)節(jié)谷底個(gè)數(shù)，同時(shí)為了避免系統(tǒng)在臨界負(fù)載處的FB電壓波
- 閱讀（6） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]E-GaN充電器芯片U8765快速充電 暢玩無(wú)憂2025年07月25日 14:27
- 電競(jìng)手機(jī)是游戲玩家心中的“戰(zhàn)場(chǎng)利器”。與普通手機(jī)相比，電競(jìng)手機(jī)極致的性能和炫酷燈效，都讓人愛(ài)不釋手。盡管有的廠商匹配了雙腰電池，但對(duì)電量長(zhǎng)續(xù)航要求更為嚴(yán)苛的電競(jìng)手機(jī)，更需要一個(gè)快速充電器來(lái)幫忙。搭載了E-GaN充電器芯片的充電器，正符合此需求！ 深圳銀聯(lián)寶E-GaN充電器芯片U8765，是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。U8765的工
- 閱讀（6） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]氮化鎵電源ic U8731封裝形式HSOP-7自動(dòng)保護(hù)2025年07月24日 14:33
- 芯片的腳位是指芯片與電路板或其他芯片之間進(jìn)行連接的引腳。引腳可以傳輸數(shù)字信號(hào)和模擬信號(hào)，還用于為芯片提供電源和接地。今天重點(diǎn)介紹的是深圳銀聯(lián)寶氮化鎵電源icU8731的腳位特征！ 氮化鎵電源ic U8731復(fù)用CS管腳以設(shè)定系統(tǒng)最高工作頻率。芯片啟動(dòng)時(shí)，U8731通過(guò)檢測(cè)RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設(shè)定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統(tǒng)工作頻率上限。選檔判定結(jié)束后系統(tǒng)鎖定，每一次啟動(dòng)都伴隨一次判定。 氮化鎵電源icU8731封裝形式HSOP-7，引腳說(shuō)明：
- 閱讀（8） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]PD快充芯片U8722BH高效安全實(shí)現(xiàn)快速充電2025年07月24日 10:39
- 快充的核心使命是實(shí)現(xiàn)快速充電。它專(zhuān)為承載更高的電流或電壓設(shè)計(jì)，旨在顯著縮短手機(jī)、平板等設(shè)備的充電時(shí)間。快充線必須內(nèi)置專(zhuān)用芯片或通過(guò)特定物理結(jié)構(gòu)，以識(shí)別并匹配各種快充協(xié)議。深圳銀聯(lián)寶PD快充芯片U8722BH是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)，特別適應(yīng)于快速充電器及適配器上！ PD快充芯片U8722BH特性： ●集成700V E-GaN ●集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 ●超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗30mW ●谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，13
- 閱讀（6） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]PD25W 100Vac-264Vac非標(biāo)款氮化鎵電源方案U8723AH+U7612A2025年07月23日 11:07
- 輸入規(guī)格：100V-264V 50/60Hz 輸出規(guī)格：C 口 PD25W：5V3A / 9V2.78A / 12V2.08A 芯片型號(hào)：主控-U8723AH 同步-U7612A 協(xié)議-HUSB338E 氮化鎵電源芯片U8723AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。U8723AH的工作頻率最高可達(dá)220kHz，可全范圍工作在準(zhǔn)諧振模式。芯片集成峰值電流抖動(dòng)功
- 閱讀（9） 標(biāo)簽：
- [公司新聞]手機(jī)充電器ic U65133兼容性強(qiáng)成本低2025年07月22日 14:48
- 氮化鎵快充的優(yōu)勢(shì)無(wú)需多言，市場(chǎng)需求足可以證明一切。也有小伙伴一直在關(guān)注普通充電器這塊，主要是因?yàn)槠粘浼嫒菪詮?qiáng)，幾乎所有設(shè)備（包括老舊手機(jī)、藍(lán)牙耳機(jī)等）均可安全使用，無(wú)協(xié)議匹配問(wèn)題，且成本遠(yuǎn)低于快充方案！今天推薦銀聯(lián)寶手機(jī)充電器icU65133，無(wú)需額外散熱設(shè)計(jì)，高性能、低成本！ 在芯片開(kāi)始工作之前，手機(jī)充電器icU65133僅消耗典型值為1.1uA的啟動(dòng)電流，超低啟動(dòng)電流可以幫助增加啟動(dòng)電阻阻值以達(dá)到降低待機(jī)功耗的目的。當(dāng)VDD電壓超過(guò)開(kāi)啟電壓(典型值10V)，U651
- 閱讀（6） 標(biāo)簽：
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