準諧振芯片廣泛應(yīng)用于便攜式設(shè)備、快充產(chǎn)品、USB-PD充電器等領(lǐng)域，特別是在高功率密度、低功耗的設(shè)計中表現(xiàn)出色。許多準諧振芯片集成了驅(qū)動電路、保護電路等功能，減少了外圍元件的數(shù)量，簡化了系統(tǒng)設(shè)計。今日推薦：深圳銀聯(lián)寶科技集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式PD快充ic U8726AHE！

■ 高壓啟動

PD快充ic U8726AHE集成了高壓啟動功能。如圖所示，在啟動階段， U8726AHE通過芯片DRAIN腳對VDD充電， 當VDD電壓達到VVDD_ON( 典型值12V) 時，高壓供電關(guān)閉。輸出建立后，芯片供電由輔助繞組提供。如圖所示，在啟動過程中，當VDD低于3V時，高壓供電電路對VDD電容的充電電流為IHV1 (典型值 0.5mA)，小電流充電，可以降低VDD引腳對地短路時的芯片功耗。當VDD電壓超過3V時，充電電流增加到IHV2 (典型值 4.7mA)，以縮短啟動時間，隨VDD電壓升高，充電電流逐漸減小。當VDD電壓降到VVDD_REG (典型值 9V)時，高壓供電電路再次開啟，以維持VDD電壓。但是，如果低鉗位供電狀態(tài)持續(xù)時間超過80ms，并且系統(tǒng)工作在非輕載模式時，芯片將觸發(fā)保護。當芯片觸發(fā)保護狀態(tài)時，系統(tǒng)停止打驅(qū)動，高壓供電電路開啟，維持VDD電壓在VVDD_REG_ST(典型值 12V)。

■ 集成 E-GaN 和驅(qū)動電流分檔功能

PD快充ic U8726AHE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路，驅(qū)動電壓為VDRV (典型值 6.4V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計難點，為此U8726AHE通過DEM管腳集成了驅(qū)動電流分檔配置功能。如圖所示，通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動電流，進而調(diào)節(jié)GaN FET的開通速度，系統(tǒng)設(shè)計者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數(shù)表。U8726AHE系列還集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能，在驅(qū)動電流配置為第一、第二、第三檔位時，當芯片工作于輕載模式時，將原邊開通速度減半，減小空載時SR的Vds應(yīng)力過沖。

PD快充ic U8726AHE的工作頻率最高可達220kHz，可全范圍工作在準諧振模式。芯片集成峰值電流抖動功能和驅(qū)動電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能。芯片內(nèi)置Boost 供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場景！