氮化鎵充電器的高功率密度，能在很小的體積里給出更高的功率，所以氮化鎵充電器個頭更小，重量也更輕。且能把電能轉換得更有效，能量損失也少，充電速度就能變得更快。推薦一款快速啟動功能和超低的工作電流氮化鎵快充芯片——U8725AHE，可實現小于30mW的超低待機功耗！

氮化鎵快充芯片U8725AHE成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路，驅動電壓為VDRV(典型值 6.4V)。EMI性能為高頻交直流轉換器的設計難點，為此U8725AHE通過DEM管腳集成了驅動電流分檔配置功能。如圖所示，通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅動電流，進而調節GaN FET的開通速度，系統設計者可以獲得最優的EMI性能和系統效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數表。

氮化鎵快充芯片U8725AHE系列還集成輕載SR應力優化功能，在驅動電流配置為第一、第二、第三檔位時，當芯片工作于輕載模式時，將原邊開通速度減半，減小空載時SR的Vds應力過沖。U8725AHE腳位如下：

1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

2 FB I 系統反饋輸入管腳

3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅動能力分檔判定管腳

4 VDD P 芯片供電管腳

5 SW P Boost 電路內置 MOS 的漏極管腳

6 GND P 芯片參考地

7 DRAIN P 內置高壓 GaN FET 漏極、高壓啟動供電管腳

氮化鎵快充芯片U8725AHE特點：

*  集成高壓E-GaN

*  集成高壓啟動功能

*  超低啟動和工作電流，待機功耗<30mW

*  谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(220kHz，130kHz)

*  集成EMI優化技術

*  驅動電流分檔配置

*  集成Boost供電電路

*  集成完備的保護功能：VDD過壓/欠壓保護(VDD OVP/UVLO)、輸出過壓/欠壓保護(DEM OVP/UVP)、輸入過壓/欠壓保護(LOVP /BOP)、片內過熱保護(OTP)、逐周期電流限制(OCP)異常過流保護(AOCP)、短路保護(SCP)、過載保護(OLP)、前沿消隱(LEB)、CS管腳開路保護

*  封裝類型 ESOP-7

氮化鎵快充芯片U8725AHE導熱性高，熱量積累少，能有效地保護充電的設備和等著充電的設備的安全。還有成熟的配套電源方案，技術團隊全程指導跟進，高效有保障！