- [公司新聞]PD快充芯片U8722BH高效安全實現快速充電2025年07月24日 10:39
- 快充的核心使命是實現快速充電。它專為承載更高的電流或電壓設計，旨在顯著縮短手機、平板等設備的充電時間。快充線必須內置專用芯片或通過特定物理結構，以識別并匹配各種快充協議。深圳銀聯寶PD快充芯片U8722BH是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關，特別適應于快速充電器及適配器上！ PD快充芯片U8722BH特性： ●集成700V E-GaN ●集成高壓啟動功能 ●超低啟動和工作電流，待機功耗30mW ●谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(220kHz，13
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- [公司新聞]氮化鎵快充芯片U8725AHE平衡效率和最優EMI性能2025年07月18日 11:23
- 氮化鎵充電器的高功率密度，能在很小的體積里給出更高的功率，所以氮化鎵充電器個頭更小，重量也更輕。且能把電能轉換得更有效，能量損失也少，充電速度就能變得更快。推薦一款快速啟動功能和超低的工作電流氮化鎵快充芯片——U8725AHE，可實現小于30mW的超低待機功耗！ 氮化鎵快充芯片U8725AHE成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路，驅動電壓為VDRV(典型值 6.4V)。
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- [公司新聞]PD快充芯片U8621+同步整流芯片多套電源方案可選2025年07月16日 14:21
- 電源芯片方案的成本優化可從芯片選型、模塊化設計、外圍元件減少等方面實現。采用高集成度電源芯片可大幅減少外圍元件數量。今天推薦的PD快充芯片U8621具有全負載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應用元件等優點，還有搭配的同步整流芯片介紹！ PD快充芯片U8621的啟動電流低至10uA,啟動電路的電阻值可以高達4M,這樣使電源系統擁有更低的損耗；芯片靜態電流低至500uA，使得電源系統設計者更加輕松應對能源之星六或者能效六級的能效標準。頻率抖動功能U86
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- [公司新聞]PD快充芯片U8732軟啟動功能保障電源電壓平穩上升2025年07月03日 15:23
- 軟啟動技術的核心在于控制芯片電源電壓的平穩上升。銀聯寶PD快充芯片U8732內部集成有軟啟動功能，在軟啟動時間TST(典型值 5ms)內，電流峰值從最小值逐步增加，避免變壓器磁芯飽和，系統每次重啟都會伴隨一次軟啟動過程。 由于原邊功率開關寄生電容、變壓器寄生電容和副邊整流管反向恢復的原因，功率開關開通瞬間會在采樣電阻上產生電壓尖刺。為避免驅動信號被錯誤關閉，PD快充芯片U8732內部集成有前沿消隱功能。在開關管導通之后的TLEB_OCP(典型值 230ns)時間內，峰值電流
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- [公司新聞]銀聯寶20W快充電源方案：220V單電壓和90-264V全電壓 通通都有！2025年07月02日 10:22
- ■220V單電壓：主控PD快充芯片U8722AH+同步整流IC U7715 PD快充芯片U8722AH集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路，驅動電壓為VDRV(典型值6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉換器的設計難點，為此U8722AH通過DEM管腳集成了驅動電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅動電流，進而調節GaN FET的開通速度，系統設計者可以獲得最優
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- [公司新聞]抗干擾、極簡外圍的恒壓恒功率PD快充芯片U86232025年06月26日 14:55
- 夏天來了，小風扇成了我們手中的避暑神器。在各大購物平臺，迷你小風扇的搜索量日益上升，成為酷熱高溫里的外出必備單品。迷你小風扇的電源配件銷量也在猛增。如果你正在找尋一顆優質的充電器芯片，建議了解下深圳銀聯寶科技的PD快充芯片U8623！ PD快充芯片U8623是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源芯片，內置0.85Ω/650V的超結硅功率MOS。U8623具有全負載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應用元件等優點。U8623在一定條件下適用于
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- [公司新聞]PD 40W氮化鎵快充電源方案：U8725AHE+U7110W2025年06月26日 10:50
- 芯片替代方案在選型時，需要選擇比原芯片參數更多或一樣的芯片。如果封裝能做到pin to pin，則無需更改PCB設計，否則就要重新設計PCB板，替換的步驟和成本將高許多。如果產品更新換代的速度較快，在選型時就要考慮芯片的可升級性，為以后的長遠效益做打算。深圳銀聯寶科技新推出的PD 40W氮化鎵快充電源方案U8725AHE+U7110W，正被采用替代市面上常見的一些料號，感興趣的小伙伴可以多多了解一下！ 氮化鎵快充芯片U8725AHE集成了高壓啟動功能。如圖所示，在啟動階段，
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- [公司新聞]PD快充芯片U8766穩定的電壓和頻率優化電源設備2025年06月18日 10:11
- 芯片工作頻率指芯片內部時鐘信號的振蕩速率，是芯片性能的重要基礎。晶體管導通電阻越小、切換速度越快，信號傳輸效率越高。PD快充芯片U8766的工作頻率最高可達220kHz，可全范圍工作在準諧振模式。芯片集成峰值電流抖動功能和驅動電流配置功能，可極大的優化系統EMI性能。U8766內置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應用場景。 針對寬輸出電壓應用場合，為了滿足VDD的寬電壓應用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導致系統功耗和電路成本的增加。PD快充芯片U876
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- [公司新聞]氮化鎵快充芯片U8722SP調整封裝形式為SOP-8輸出20W2025年06月16日 10:51
- 氮化鎵快充芯片U8722SP封裝形式升級調整為SOP-8，集成完備的保護功能：VDD過壓/欠壓保護(VDD OVP/UVLO)、輸出過壓保護(OVP)、輸出欠壓保護(DEM UVP)、輸入過壓保護(LOVP)、輸入欠壓保護(BOP)、片內過熱保護(OTP)、逐周期電流限制(OCP)、異常過流保護(AOCP)、短路保護(SCP)、過載保護(OLP)、前沿消隱(LEB)、CS管腳開路保護等。 氮化鎵快充芯片U8722SP管腳說明： 1 GND P 芯片參考地 2 CS I/O 電
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- [公司新聞]20V單高壓帶恒功率氮化鎵PD快充芯片U8725AHE2025年06月05日 15:07
- 充電器和適配器等快充設備，需匹配高功率密度與寬電壓輸出范圍的快充芯片。深圳銀聯寶科技推出的20V單高壓帶恒功率氮化鎵PD快充芯片U8725AHE，集成高壓啟動、功率器件和保護電路，省去外部Boost/Buck電路及分立元件，縮小PCB面積；內置高壓E-GaN和Boost供電電路，支持寬電壓輸出，切莫錯過！ PD快充芯片U8725AHE主要特性： 1.集成 高壓 E-GaN 2.集成高壓啟動功能 3.超低啟動和工作電流，待機功耗 30mW 4.谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可
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- [公司新聞]集成MOS耐壓700V低啟動低功耗的PD快充芯片U8722SP2025年05月30日 14:16
- 耐壓值定義了芯片安全工作電壓上限，若輸入電壓超過該值（如動態波動或負載突變），可能引發擊穿或永久損壞，直接影響器件可靠性、性能表現及系統適配性。高耐壓芯片需更大厚度或更高電阻率的半導體材料，工藝制程要求更高。深圳銀聯寶科技的PD快充芯片U8722SP是一款集成 E-GaN 的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關，集成MOS耐壓700V，值得一試！ PD快充芯片U8722SP集成了高壓啟動功能。如圖1所示，在啟動階段，U8722SP通過芯片DRAIN腳對VDD充電，當VDD電
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- [公司新聞]耐壓650V氮化鎵快充芯片U8733L優化能源利用效率2025年05月27日 11:34
- 恒功率控制方式通過精確的控制策略和先進的電子技術，實現了在各種工況下輸出功率的恒定。其基本原理是通過調節系統的輸入或輸出參數（如電壓、電流等），使得系統在負載變化時能夠維持輸出功率不變。銀聯寶氮化鎵快充芯片U8733L集成恒功率控制與主動降功率控制功能，在恒功率區間，通過控制輸出電流隨輸出電壓變化，實現恒功率功能。 氮化鎵快充芯片U8733L特征： 集成 700V E-GaN 集成高壓啟動功能 超低啟動和工作電流，待機功耗 30mW 谷底鎖定模式，最 高 工 作 頻 率 兩
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- [公司新聞]氮化鎵GaN快充芯片U8732輕松應對充電問題2025年05月21日 14:36
- 氮化鎵充電器與普通充電器在充電效率方面對比，性能遙遙領先。它支持多種快充協議，如PD、QC等，能夠智能識別設備所需的充電功率，實現快速充電。無論是蘋果手機、安卓手機，還是筆記本電腦、平板電腦，氮化鎵充電器都能輕松應對，一充搞定。充電器自然離不開芯片的支持，今天主推的就是來自深圳銀聯寶科技的氮化鎵GaN快充芯片U8732！ 氮化鎵GaN快充芯片U8732特點： 1.集成 700V E-GaN 2.集成高壓啟動功能 3.超低啟動和工作電流，待機功耗 30mW 4.谷底鎖定模式，
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- [公司新聞]氮化鎵PD快充芯片U8722DAS可減少高頻噪聲和應力沖擊2025年05月16日 11:48
- 氮化鎵PD快充芯片U8722DAS集成輕載SR應力優化功能，在輕載模式下，芯片將原邊開通速度減半（如配置為特定驅動電流檔位時），減緩開關動作的瞬態變化，從而減小次級側SR器件的電壓尖峰，通過分壓電阻設置驅動電流檔位（三檔可選），平衡EMI性能與效率。低驅動電流檔位可降低SR開關速度，減少高頻噪聲和應力沖擊。 氮化鎵PD快充芯片U8722DAS特征： ▲集成 高壓 E-GaN ▲集成高壓啟動功能 ▲超低啟動和工作電流，待機功耗 30mW ▲谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(
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- [公司新聞]氮化鎵PD快充芯片U8733集成恒功率與主動降功率多控制功能2025年05月09日 11:32
- 芯片恒功率控制，意味著無論負載變化如何，系統都能保持恒定的輸出功率，確保設備在各種工作條件下都能穩定運行。當檢測到系統溫度過高時，主動降功率功能會啟動，以降低系統溫度，防止過熱。深圳銀聯寶科技的氮化鎵PD快充芯片U8733，就集成了恒功率控制和主動降功率控制功能，一起來看看！ 氮化鎵PD快充芯片U8733集成恒功率控制與主動降功率控制功能，在恒功率區間，通過控制輸出電流隨輸出電壓變化，實現恒功率功能。外置溫度檢測環境溫度，當溫度過高主動降功率以降低系統溫度，保證系統穩定
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- [公司新聞]ESOP-10W封裝輸入欠壓保護氮化鎵快充芯片U87662025年05月08日 15:14
- 在65W氮化鎵快充設計中，輸入欠壓保護與過壓保護協同工作，保障充電頭在電網波動時仍能穩定輸出，并避免因輸入異常導致次級電路損壞。今天介紹的65W全壓氮化鎵快充芯片U8766，輸入欠壓保護(BOP)，采用ESOP-10W封裝！ 氮化鎵快充芯片U8766通過HV管腳對母線電壓進行采樣，當母線電壓值小于BOP保護閾值VBOP (典型值 100V)時，芯片內部的BOP延遲計時使能，計時時間為TBOP_DELAY(典型值 80ms)，計時結束后觸發BOP保護。如果母線電壓超過BOP恢復
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- [公司新聞]PD 20W氮化鎵單電壓應用方案：U8722AH+U77152025年05月07日 14:23
- 深圳銀聯寶科技推出的PD20W氮化鎵單電壓應用方案，主控芯片使用的是氮化鎵快充芯片U8722AH，同步整流芯片U7715，協議338E。輸入規格：180V-264V 50Hz，輸出規格：C口，PD20W：5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。 氮化鎵快充芯片U8722AH特點： 1.集成 700V E-GaN 2.集成高壓啟動功能 3.超低啟動和工作電流，待機功耗 30mW 4.谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(220kHz，130kHz) 5.集
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- [公司新聞]SOP-7封裝20W氮化鎵快充芯片U8722SP來咯！2025年04月29日 11:14
- 深圳銀聯寶氮化鎵系列又雙叒叕上“芯”料啦——U8722SP！氮化鎵快充芯片U8722SP采用SOP-7封裝，推薦最大輸出功率20W，集成MOS耐壓700V，典型應用于快速充電器和適配器上，腳位如下： 1 GND P 芯片參考地 2 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 3 FB I 系統反饋輸入管腳 4 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅動能力分檔判定管腳 5 SW P Boost 電路內置 MOS 的漏極
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- [公司新聞]氮化鎵快充芯片U8608集成多維度安全防護機制2025年04月28日 14:25
- 深圳銀聯寶氮化鎵快充芯片U8608具有多重故障保護機制，通過集成多維度安全防護，防止設備出現過充電、過放電、過電流等問題，在電子設備中構建起全方位的安全屏障，今天具體分析一下！ ■輸入過欠壓保護 (Line OVP/BOP) 氮化鎵快充芯片U8608通過DRAIN管腳對母線電壓進行采樣，當母線電壓值小于Line BOP 保護閾值VBOP (典型值70Vac)時，芯片內部的Line BOP延遲計時使能，計時時間為TBOP_DELAY(典型值 80ms)，計時結束后觸發Lin
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- [公司新聞]25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AH2025年04月24日 10:17
- 芯片內置Boost電路將功率開關器件（如MOSFET）、驅動電路、反饋網絡等集成于單一封裝，省去分立元件布局，顯著降低PCB面積需求。深圳銀聯寶氮化鎵快充芯片U8723AH內置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應用場景。U8723AH集成峰值電流抖動功能和驅動電流配置功能，可極大的優化系統EMI性能！ 氮化鎵快充芯片U8723AH特性： ●集成 高壓 E-GaN ●集成高壓啟動功能 ●超低啟動和工作電流，待機功耗 30mW ●谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(2
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