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[公司新聞]氮化鎵PD快充芯片U8722DAS可減少高頻噪聲和應(yīng)力沖擊2025年05月16日 11:48: 氮化鎵PD快充芯片U8722DAS集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能，在輕載模式下，芯片將原邊開(kāi)通速度減半（如配置為特定驅(qū)動(dòng)電流檔位時(shí)），減緩開(kāi)關(guān)動(dòng)作的瞬態(tài)變化，從而減小次級(jí)側(cè)SR器件的電壓尖峰，通過(guò)分壓電阻設(shè)置驅(qū)動(dòng)電流檔位（三檔可選），平衡EMI性能與效率。低驅(qū)動(dòng)電流檔位可降低SR開(kāi)關(guān)速度，減少高頻噪聲和應(yīng)力沖擊。氮化鎵PD快充芯片U8722DAS特征： ▲集成高壓 E-GaN ▲集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 ▲超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW ▲谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(diào)(; 閱讀（0）標(biāo)簽：

[公司新聞]45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U72692025年05月15日 10:56: 氮化鎵電源電路由于減少了元件數(shù)量和功率轉(zhuǎn)換器占用的空間而更具吸引力。深圳銀聯(lián)寶科技作為E-GaN快充電源方案制造商，大量投入工程研發(fā)以應(yīng)對(duì)各類技術(shù)挑戰(zhàn)，為市場(chǎng)提供了各種功率級(jí)和多種功能的集成解決方案，今天推薦的是銀聯(lián)寶45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269！快充電源芯片U8726AHE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV (典型值6.4V)。E; 閱讀（12）標(biāo)簽：

[公司新聞]30W E-GaN高頻高性能快充電源ic U87312025年05月14日 11:14: GaN器件采用二維電子氣結(jié)構(gòu)，能夠提供更高的電子遷移率和導(dǎo)電性能，因此適用于高頻應(yīng)用，可以實(shí)現(xiàn)更高效的功率轉(zhuǎn)換。深圳銀聯(lián)寶科技研發(fā)生產(chǎn)的快充電源icU8731，集成700VE-GaN，高頻高性能，推薦工作頻率130KHz/220KHz，推薦最大輸出功率30W，介紹給小伙伴們！快充電源icU8731采用的是HSOP-7封裝，管腳說(shuō)明如下： 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能; 閱讀（9）標(biāo)簽：

[公司新聞]12V2A/3A氮化鎵電源方案U8607/U8609+同步整流芯片U76132025年05月13日 10:54: 深圳銀聯(lián)寶科技最新上市的氮化鎵電源方案：U8607/U8609+同步整流芯片U7613，推薦輸出功率12V2A、12V3A，非標(biāo)共板，方案成熟，性能可靠，可滿足更高性能要求、更低成本需求！氮化鎵電源芯片U8607/U8609采用原邊反饋控制，可節(jié)省光耦和TL431，簡(jiǎn)化電源BOM。它合封第三代半導(dǎo)體GaN FET，最高工作頻率130kHz，有利于降低電源尺寸。特征如下： *原邊反饋控制，無(wú)需光耦和 TL431 *集成 700V GaN FET 驅(qū)動(dòng) *集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 *; 閱讀（12）標(biāo)簽：

[公司新聞]ESOP-10W封裝輸入欠壓保護(hù)氮化鎵快充芯片U87662025年05月08日 15:14: 在65W氮化鎵快充設(shè)計(jì)中，輸入欠壓保護(hù)與過(guò)壓保護(hù)協(xié)同工作，保障充電頭在電網(wǎng)波動(dòng)時(shí)仍能穩(wěn)定輸出，并避免因輸入異常導(dǎo)致次級(jí)電路損壞。今天介紹的65W全壓氮化鎵快充芯片U8766，輸入欠壓保護(hù)(BOP)，采用ESOP-10W封裝！氮化鎵快充芯片U8766通過(guò)HV管腳對(duì)母線電壓進(jìn)行采樣，當(dāng)母線電壓值小于BOP保護(hù)閾值VBOP (典型值 100V)時(shí)，芯片內(nèi)部的BOP延遲計(jì)時(shí)使能，計(jì)時(shí)時(shí)間為TBOP_DELAY(典型值 80ms)，計(jì)時(shí)結(jié)束后觸發(fā)BOP保護(hù)。如果母線電壓超過(guò)BOP恢復(fù); 閱讀（12）標(biāo)簽：

[公司新聞]30~65W快充應(yīng)用CCM同步整流芯片U71062025年05月08日 09:31: 同步整流芯片U7106采用PDFN5*6封裝，是一款高頻率、高性能、CCM 同步整流開(kāi)關(guān)，典型應(yīng)用于30~65W快充，無(wú)需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。同步整流芯片U7106電路設(shè)計(jì)參考如下： 1. 副邊主功率回路 Loop1 的面積盡可能小。 2. VDD 電容推薦使用 1μF 的貼片陶瓷電容，盡量緊靠 IC，Loop2的面積盡可能小。 3. HV 到Drain建議串聯(lián)30~200Ω的電阻，推薦典型值100Ω。HV連接到D; 閱讀（9）標(biāo)簽：

[公司新聞]PD 20W氮化鎵單電壓應(yīng)用方案：U8722AH+U77152025年05月07日 14:23: 深圳銀聯(lián)寶科技推出的PD20W氮化鎵單電壓應(yīng)用方案，主控芯片使用的是氮化鎵快充芯片U8722AH，同步整流芯片U7715，協(xié)議338E。輸入規(guī)格：180V-264V 50Hz，輸出規(guī)格：C口，PD20W：5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。氮化鎵快充芯片U8722AH特點(diǎn)： 1.集成 700V E-GaN 2.集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 3.超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW 4.谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz) 5.集; 閱讀（16）標(biāo)簽：

[公司新聞]帶恒功率集成高壓E-GaN氮化鎵電源IC U8723AHS2025年05月06日 14:32: 恒功率電源芯片具有穩(wěn)壓、高效、過(guò)載保護(hù)等特性，適用于一些功率要求嚴(yán)格的應(yīng)用場(chǎng)景，如充電器、LED驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)工具等。今天推薦的深圳銀聯(lián)寶帶恒功率集成高壓E-GaN氮化鎵電源ICU8723AHS，不僅可以提高電路的穩(wěn)定性和可靠性，同時(shí)也可以提高能源利用效率，使優(yōu)勢(shì)發(fā)揮到最大！針對(duì)寬輸出電壓應(yīng)用場(chǎng)合，為了滿足VDD的寬電壓應(yīng)用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。氮化鎵電源ICU8723AHS集成了Boost供電技術(shù)，僅在SW管腳添加一顆貼片電; 閱讀（8）標(biāo)簽：

[公司新聞]SOP-7封裝20W氮化鎵快充芯片U8722SP來(lái)咯！2025年04月29日 11:14: 深圳銀聯(lián)寶氮化鎵系列又雙叒叕上“芯”料啦——U8722SP！氮化鎵快充芯片U8722SP采用SOP-7封裝，推薦最大輸出功率20W，集成MOS耐壓700V，典型應(yīng)用于快速充電器和適配器上，腳位如下： 1 GND P 芯片參考地 2 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 3 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 4 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳 5 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極; 閱讀（15）標(biāo)簽：

[公司新聞]氮化鎵快充芯片U8608集成多維度安全防護(hù)機(jī)制2025年04月28日 14:25: 深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8608具有多重故障保護(hù)機(jī)制，通過(guò)集成多維度安全防護(hù)，防止設(shè)備出現(xiàn)過(guò)充電、過(guò)放電、過(guò)電流等問(wèn)題，在電子設(shè)備中構(gòu)建起全方位的安全屏障，今天具體分析一下！ ■輸入過(guò)欠壓保護(hù) (Line OVP/BOP) 氮化鎵快充芯片U8608通過(guò)DRAIN管腳對(duì)母線電壓進(jìn)行采樣，當(dāng)母線電壓值小于Line BOP 保護(hù)閾值VBOP (典型值70Vac)時(shí)，芯片內(nèi)部的Line BOP延遲計(jì)時(shí)使能，計(jì)時(shí)時(shí)間為TBOP_DELAY(典型值 80ms)，計(jì)時(shí)結(jié)束后觸發(fā)Lin; 閱讀（12）標(biāo)簽：

[公司新聞]耐壓700V氮化鎵電源ic U8765散熱性能優(yōu)越2025年04月27日 14:07: 氮化鎵憑借高頻高效特性，具備了體積小、功率高、發(fā)熱低等優(yōu)勢(shì)，但小型化雖好，散熱才是硬道理，選氮化鎵電源ic得看準(zhǔn)散熱設(shè)計(jì)。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性能優(yōu)越、耐壓700V的氮化鎵電源icU8765！當(dāng)?shù)夒娫磇cU8765結(jié)溫超過(guò)TSD (典型值150℃)時(shí)，芯片停止工作，進(jìn)入過(guò)熱保護(hù)。當(dāng)芯片溫度下降至TRC (典型值 120℃)，芯片重新啟動(dòng)。U8765封裝類型ESOP-10W，引腳分析如下： 1 HV P 高壓?jiǎn)?dòng)管腳 2 DRAIN P GaN FET 漏極引腳; 閱讀（10）標(biāo)簽：

[公司新聞]20V單高壓45W氮化鎵電源芯片U8726AHE2025年04月25日 14:31: EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難點(diǎn)，為此氮化鎵電源芯片U8726AHE通過(guò)DEM管腳集成了驅(qū)動(dòng)電流分檔配置功能。通過(guò)配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動(dòng)電流，進(jìn)而調(diào)節(jié)GaN FET的開(kāi)通速度，系統(tǒng)設(shè)計(jì)者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。氮化鎵電源芯片U8726AHE引腳： 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳 4 VDD P 芯片供電管; 閱讀（12）標(biāo)簽：

[公司新聞]25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AH2025年04月24日 10:17: 芯片內(nèi)置Boost電路將功率開(kāi)關(guān)器件（如MOSFET）、驅(qū)動(dòng)電路、反饋網(wǎng)絡(luò)等集成于單一封裝，省去分立元件布局，顯著降低PCB面積需求。深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8723AH內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場(chǎng)景。U8723AH集成峰值電流抖動(dòng)功能和驅(qū)動(dòng)電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能！氮化鎵快充芯片U8723AH特性： ●集成高壓 E-GaN ●集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 ●超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW ●谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(diào)(2; 閱讀（7）標(biāo)簽：

[公司新聞]700V/165mΩ HV高壓?jiǎn)?dòng)頻率可調(diào)氮化鎵快充芯片U87662025年04月23日 14:32: 700V/165mΩ HV高壓?jiǎn)?dòng)頻率可調(diào)氮化鎵快充芯片U8766，推薦功率為65W，代表機(jī)型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。氮化鎵快充芯片U8766集成了高壓?jiǎn)?dòng)功能。在啟動(dòng)階段，U8766通過(guò)芯片HV腳對(duì)VDD充電，當(dāng)VDD電壓達(dá)到VVDD_ON(典型值 12V)時(shí)，高壓供電關(guān)閉。輸出建立后，芯片供電由輔助繞組提供。在啟動(dòng)過(guò)程中，當(dāng)VDD低于3V時(shí)，高壓供電電路對(duì)VDD電容的充電電流為IHV1 (典型值 0.5mA)，小電流充電，可以; 閱讀（17）標(biāo)簽：

[公司新聞]銀聯(lián)寶氮化鎵電源芯片U8733L與U8733差異化分析2025年04月22日 11:25: 氮化鎵電源芯片U8733L與U8733同屬U8733X系列，都是外置OTP，自帶降功率（限12V最大輸出），集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。但參數(shù)性能略有不同，今天就為各位小伙伴詳細(xì)拆解一下兩者不同之處！ ▲U8733L Vds 耐壓650V，Rdson內(nèi)阻0.8R，ID電流2.5A，推薦功率33W。 ▲U8733 Vds 耐壓700V，Rdson內(nèi)阻0.47--0.6R，ID電流3.3A，推薦功率33W-45W ▲封裝; 閱讀（14）標(biāo)簽：

[公司新聞]700V/365mΩ高壓?jiǎn)?dòng)GaN快充芯片U86092025年04月21日 14:31: GaN快充芯片U8609最高工作頻率130kHz，700V/365mΩ，采用DASOP-7封裝，主推12V3A，合封第三代半導(dǎo)體GaN FET，有利于降低電源尺寸。U8609采用CS Jitter技術(shù)，通過(guò)調(diào)制峰值電流參考值實(shí)現(xiàn)頻率抖動(dòng)，以優(yōu)化系統(tǒng)EMI。 GaN快充芯片U8609復(fù)用CS管腳以設(shè)定系統(tǒng)最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。芯片啟動(dòng)時(shí)，U8609通過(guò)檢測(cè)RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設(shè)定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統(tǒng)工作頻率上限。選檔判定結(jié)束; 閱讀（18）標(biāo)簽：

[公司新聞]12V單高壓20W-25W氮化鎵快充芯片U8722BAS2025年04月18日 14:39: 氮化鎵快充芯片U8722BAS復(fù)用CS管腳以設(shè)定系統(tǒng)最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。芯片啟動(dòng)時(shí)，U8722BAS通過(guò)檢測(cè)RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設(shè)定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統(tǒng)工作頻率上限。選檔判定結(jié)束后系統(tǒng)鎖定，每一次啟動(dòng)都伴隨一次判定。氮化鎵快充芯片U8722BAS封裝類型 ASOP7-T4，引腳名稱如下： 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢; 閱讀（15）標(biāo)簽：

[公司新聞]充電器ic U7576滿足快速啟動(dòng)和低待機(jī)應(yīng)用需求2025年04月17日 14:15: 深圳銀聯(lián)寶充電器icU7576通過(guò)HV高壓引腳實(shí)時(shí)檢測(cè)交流輸入狀態(tài)，市電斷開(kāi)時(shí)觸發(fā)內(nèi)部放電邏輯，集成了輸出欠壓(BOP)與輸入掉電、X電容放電功能，解決了X電容放電電阻引起的待機(jī)損耗問(wèn)題。采用SOP-8封裝，HV引腳集成650V VDMOS，提升了耐壓性能！充電器icU7576主要特點(diǎn)： 1.集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 2.集成 AC 輸入掉電檢測(cè)與X電容放電功能 3.可支持?jǐn)嗬m(xù)模式、連續(xù)模式的原邊恒流技術(shù) 4.±5%恒流精度；±1%恒壓精度 5.待機(jī)功; 閱讀（5）標(biāo)簽：

[公司新聞]電源管理芯片U3205A擁有良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率2025年04月17日 10:55: 銀聯(lián)寶電源管理芯片U3205A通過(guò)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)負(fù)載狀態(tài)，自動(dòng)調(diào)節(jié)MOSFET的開(kāi)關(guān)頻率，輕載或空載時(shí)降低頻率（如待機(jī)狀態(tài)），減少開(kāi)關(guān)損耗，典型待機(jī)功耗可低于50mW；重載時(shí)提升頻率以維持輸出穩(wěn)定性，確保系統(tǒng)效率最優(yōu)！ ■高壓?jiǎn)?dòng)電路和超低待機(jī)功耗 (50mW) 電源管理芯片U3205A內(nèi)置有一個(gè)500V高壓?jiǎn)?dòng)單元。在開(kāi)機(jī)過(guò)程中該啟動(dòng)單元開(kāi)始工作，從Drain端取電并通過(guò)高壓電流源對(duì)VDD電容進(jìn)行充電，如“功能模塊”中所述。當(dāng)VDD電壓上升至; 閱讀（7）標(biāo)簽：

[公司新聞]帶快速關(guān)斷功能的高性能副邊同步整流芯片U72692025年04月16日 11:51: 同步整流芯片U7269具有雙LDO供電。圖1展示了低端配置的典型系統(tǒng)架構(gòu)，這種供電方式的優(yōu)點(diǎn)在于其支持的輸出電壓范圍廣，即使輸出電壓降低到0V SR也能正常工作。同步整流芯片U7269亦支持高端應(yīng)用，有兩類配置方式。圖2中Vo引腳直接和HV引腳相連，此時(shí)VDD電壓會(huì)穩(wěn)定在9V左右。圖3中Vo引腳和GND引腳相連，此時(shí)VDD電壓穩(wěn)定在6V左右。同步整流芯片U7269主要特點(diǎn)：支持?jǐn)嗬m(xù)工作模式(DCM)、準(zhǔn)諧振工作模式(QR)及連續(xù)工作模式(CCM)和有源鉗位（AC; 閱讀（8）標(biāo)簽：

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