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65W系列 19V3.42A能效六級方案
優化降頻技術提率更多 +
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
效率滿足 六級能效
內置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
無異音OCP補償低壓重載異音
OLP時間可編程
VDD欠壓保護(ULVO), 過壓保護及鉗位
內置同步斜率補償. 逐周期電流限制, 內置前沿消隱
內置頻率抖動EMI
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60W系列 12V5A能效六級方案
更多 +
±5％恒壓恒流精度, 快速動態響應控制
待機功耗小于75mW
自動補償輸入電壓.電感感量變化
自動補償輸入電壓.電感感量變化
啟動電流
前沿消隱
內置斜率補償
逐周期電流限制
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10W系列5V2A能效六級方案
更多 +
效率滿足六級能效要求
內置650V 功率MOSFET
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
零電壓帶載啟動減小OCP恢復間隙
逐周期電流限制, 內置前沿消隱
±5％恒壓恒流精度
內置反饋腳(FB)短路保護
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5W系列 5V1A能效六級方案
QR-PSR控制提高工作效率更多 +
內置700V 功率三極管
效率滿足 ‘DoE六級能效’，待機＜75mW
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制內置頻率抖動EMI
內置快速動態響應控制，無異音工作
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現高精度
逐周期電流限制, 內置前沿消隱
VDD欠壓保護（UVLO）,過壓保護及鉗位
OTP過溫保護
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5V1.5A能效六級方案
QR-PSR控制提高工作效率。更多 +
±4% 的恒流恒壓精度,PSR控制模式。
系統效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機＜70mW。
內置專利的線損電壓補償。
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護。
VDD欠壓保護，VDD過壓保護及鉗位。
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10W系列 5V2A能效六級方案
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制。更多 +
內置頻率抖動EMI。
系統效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求。
內置高低壓過流補償。
內置快速動態響應控制，無異音工作。
輸出過壓保護，VDD欠壓保護，VDD過壓保護及鉗位。
QR-PSR控制提高工作效率。
內置600V 功率MOSFET
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12W系列 12V1A能效六級方案
專利QR控制，提高系統效率，異音。更多 +
效率滿足六級能效要求。
內置頻率抖動EMI。
內置高低壓過流補償。
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護。
內置專利的線損補償,提高量產精度。
內置反饋腳(FB)短路保護
支持高50V 輸出電壓
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5W系列 5V1A能效六級方案
QR-PSR控制提高工作效率更多 +
內置700V 功率三極管
效率滿足 ‘DoE六級能效’，待機＜75mW
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制內置頻率抖動EMI
內置快速動態響應控制，無異音工作
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現高精度
逐周期電流限制, 內置前沿消隱
VDD欠壓保護（UVLO）,過壓保護及鉗位
OTP過溫保護
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12W系列 5V2.4A能效六級方案
更多 +
效率滿足六級能效要求
內置650V 功率MOSFET
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
零電壓帶載啟動減小OCP恢復間隙
逐周期電流限制, 內置前沿消隱
±5％恒壓恒流精度
內置反饋腳(FB)短路保護
- [公司新聞]超結硅功率MOS電源管理ic U8623+同步整流ic U7610A方案2025年08月01日 11:21
- 在相同650V耐壓下，超結MOS的導通電阻（85mΩ）僅為傳統器件（200mΩ）的約42%，開關頻率上限提升至100kHz（傳統為50kHz）。超結MOS相較于傳統MOSFET，效率提升顯著。今天推薦的電源方案，是來自深圳銀聯寶科技內置0.85Ω/650V的超結硅功率MOS電源管理icU8623+同步整流icU7610A！ 電源管理icU8623是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源管理芯片，內置0.85Ω/650V的超結硅功率MOS。U8623具有全負載高效率、
- 閱讀（2） 標簽：
- [公司新聞]PD65W氮化鎵快充電源應用高轉換效率方案：U8765+U7110W2025年07月30日 14:27
- 設計大電流，高開關頻率同步降壓電路時，要想設計一個穩定可靠的系統，PCB布局顯得尤為重要。同步整流icU7110W設計同步整流電路時建議參考下圖的內容。圖為PCB布局設計參考，包含U7110W、變壓器副邊引腳和輸出濾波電容等。 1. 副邊主功率回路Loop1的面積盡可能小。 2. VDD電容推薦使用1μF的貼片陶瓷電容，盡量緊靠IC，Loop2的面積盡可能小。 3. HV到Drain建議串聯30~200Ω的電阻，推薦典型值100Ω。HV檢測點位置對CCM應力有影響，HV檢測
- 閱讀（10） 標簽：
- [公司新聞]PD20W單壓過認證快充電源方案：U8722AH+U7714A2025年07月29日 14:58
- 單壓過認證電源指單路電壓輸出（如12V、24V等）且?通過安全認證（如CE、UL、3C）的電源產品，可提供單一穩定輸出電壓。推薦一款具備多重安全防護功能的方案——PD20W單壓過認證快充電源方案：快充電源芯片U8722AH+同步整流芯片U7714A，結構精簡，成本優勢顯著！ 快充電源芯片U8722AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現小于30mW的超低待
- 閱讀（7） 標簽：
- [公司新聞]35W快充電源ic U8722DAS讓每一次充電都安心可靠2025年07月28日 15:12
- 深圳銀聯寶科技的35W快充電源icU8722DAS，安全性能至上，內嵌幾大智能防護機制：過壓保護、過流保護、過功率保護、前沿消隱、短路保護及過溫保護，全方位保障用戶充電過程的安全，讓每一次充電都安心可靠！ 35W快充電源icU8722DAS采用峰值電流控制模式，可以自適應的工作在QR和降頻工作模式，從而實現全負載功率范圍內的效率優化。在滿載和重載工況下，系統工作在QR工作模式，可以大幅降低系統的開關損耗。芯片根據FB電壓值調節谷底個數，同時為了避免系統在臨界負載處的FB電壓波
- 閱讀（6） 標簽：
- [公司新聞]E-GaN充電器芯片U8765快速充電 暢玩無憂2025年07月25日 14:27
- 電競手機是游戲玩家心中的“戰場利器”。與普通手機相比，電競手機極致的性能和炫酷燈效，都讓人愛不釋手。盡管有的廠商匹配了雙腰電池，但對電量長續航要求更為嚴苛的電競手機，更需要一個快速充電器來幫忙。搭載了E-GaN充電器芯片的充電器，正符合此需求！ 深圳銀聯寶E-GaN充電器芯片U8765，是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現小于30mW的超低待機功耗。U8765的工
- 閱讀（6） 標簽：
- [公司新聞]PD快充芯片U8722BH高效安全實現快速充電2025年07月24日 10:39
- 快充的核心使命是實現快速充電。它專為承載更高的電流或電壓設計，旨在顯著縮短手機、平板等設備的充電時間。快充線必須內置專用芯片或通過特定物理結構，以識別并匹配各種快充協議。深圳銀聯寶PD快充芯片U8722BH是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關，特別適應于快速充電器及適配器上！ PD快充芯片U8722BH特性： ●集成700V E-GaN ●集成高壓啟動功能 ●超低啟動和工作電流，待機功耗30mW ●谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(220kHz，13
- 閱讀（6） 標簽：
- [公司新聞]PD25W 100Vac-264Vac非標款氮化鎵電源方案U8723AH+U7612A2025年07月23日 11:07
- 輸入規格：100V-264V 50/60Hz 輸出規格：C 口 PD25W：5V3A / 9V2.78A / 12V2.08A 芯片型號：主控-U8723AH 同步-U7612A 協議-HUSB338E 氮化鎵電源芯片U8723AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現小于30mW的超低待機功耗。U8723AH的工作頻率最高可達220kHz，可全范圍工作在準諧振模式。芯片集成峰值電流抖動功
- 閱讀（9） 標簽：
- [公司新聞]手機充電器ic U65133兼容性強成本低2025年07月22日 14:48
- 氮化鎵快充的優勢無需多言，市場需求足可以證明一切。也有小伙伴一直在關注普通充電器這塊，主要是因為普充兼容性強，幾乎所有設備（包括老舊手機、藍牙耳機等）均可安全使用，無協議匹配問題，且成本遠低于快充方案！今天推薦銀聯寶手機充電器icU65133，無需額外散熱設計，高性能、低成本！ 在芯片開始工作之前，手機充電器icU65133僅消耗典型值為1.1uA的啟動電流，超低啟動電流可以幫助增加啟動電阻阻值以達到降低待機功耗的目的。當VDD電壓超過開啟電壓(典型值10V)，U651
- 閱讀（6） 標簽：
- [公司新聞]24W安防監控交流適配器電源管理芯片U86072025年07月21日 15:18
- 暑假期間，家用攝像頭產品又成了爆款，低功耗攝像頭的增長幅度更是驚人。目前市面超80%的監控攝像頭采用12V直流供電，典型功率覆蓋5W-30W。深圳銀聯寶科技的U8607就是一顆典型的交流適配器電源管理芯片，推薦24W應用！ 電源管理芯片U8607是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關管，可為18~65W適配器應用提供全新的解決方案。U8607采用原邊反饋控制，可節省光耦和TL431，簡化電源BOM。它合封第三代半導體GaN FET，最高工作頻率130kHz，有利于
- 閱讀（7） 標簽：
- [公司新聞]氮化鎵快充芯片U8725AHE平衡效率和最優EMI性能2025年07月18日 11:23
- 氮化鎵充電器的高功率密度，能在很小的體積里給出更高的功率，所以氮化鎵充電器個頭更小，重量也更輕。且能把電能轉換得更有效，能量損失也少，充電速度就能變得更快。推薦一款快速啟動功能和超低的工作電流氮化鎵快充芯片——U8725AHE，可實現小于30mW的超低待機功耗！ 氮化鎵快充芯片U8725AHE成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路，驅動電壓為VDRV(典型值 6.4V)。
- 閱讀（4） 標簽：
- [公司新聞]E-GaN電源芯片U8722BAS+同步整流芯片U7612B全電壓應用方案2025年07月17日 15:08
- 全電壓電源支持AC85-265V寬幅電壓，可覆蓋絕對大部分國家和地區的電網標準，避免因電壓不匹配導致設備損壞或無法使用的問題。且適用于各類電子設備，尤其適合出口產品或跨區域使用的場景，提升產品適用范圍。今天推薦的E-GaN電源芯片U8722BAS+同步整流芯片U7612B，就是一款高效低耗的全電壓電源應用方案，體驗好，成本低！ E-GaN電源芯片U8722BAS特點： ●集成高壓E-GaN ●集成高壓啟動功能 ●超低啟動和工作電流，待機功耗30mW ●谷底鎖定模式，最高工作
- 閱讀（5） 標簽：
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